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rev 1.0
九月 2005 1/98
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M58LT128GST
M58LT128GSB
128mbit (8mb x16, 多样的 bank, multi-水平的, burst)
1.8v 供应 secure flash memories
特性 summary
■
供应 电压
–V
DD
= 1.7 至 2.0v 为 程序, 擦掉 和
读
–V
DDQ
= 2.7 至 3.6v 为 i/o 缓存区
–V
PP
= 9v 为 快 程序
■
同步的 / 异步的 读
– 随机的 进入: 110ns
– 异步的 页 读: 25ns.
– 同步的 burst 读: 52mhz
■
同步的 burst 读 suspend
■
程序编制 时间
– 10µs 典型 文字 程序 时间 使用
缓存区 增强 工厂 程序
command
■
记忆 organization
– 多样的 bank 记忆 排列:
8 mbit banks
– 参数 blocks (顶 或者 bottom location)
■
双 行动
– 程序/擦掉 在 一个 bank 当 读 在
其他
– 非 延迟 在 读 和 写
行动
■
硬件 保护
– 所有 blocks 写 保护 当 v
PP
≤
V
PPLK
■
安全
– 软件 安全 特性
– 64-位 唯一的 设备 identifier
– 2112 位 的 用户-可编程序的 otp
记忆
■
一般 flash 接口 (cfi)
■
100,000 程序/擦掉 循环 每
块
■
电子的 signature
– 生产者 代号: 20h
– 设备 代号:
m58lt128gst: 88c6h
m58lt128gsb: 88c7h
■
ECOPACK
®
包装 有
BGA
tbga64 (za)
10 x 13mm
www.st.com