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产品 PREVIEW
将 2000
这个 是 初步的 信息 在 一个 新 产品 now 在 开发. 详细信息 是 主题 至 改变 没有 注意.
M58LW064A
M58LW064B
64 Mbit (x16 和 x16/x32, 块 擦掉)
低 电压 Flash Memories
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M58LW064A x16 organisation,
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M58LW064B x16/x32 可选择的
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multi-位 CELL 为 高 密度 和 低
费用
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供应 电压
–V
DD
= 2.7v 至 3.6v 供应 电压
–V
DDQ
= 2.7v 至 3.6v 或者 1.8v 至 2.5v
输入/输出 供应 电压
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PIPELINED 同步的 BURST
接口
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同步的/异步的 读
– 同步的 Burst 读
– 异步的 随机的 和 获得 使能
控制 读, 和 页 读
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进入 时间
– 同步的 Burst 读 向上 至 66MHz
– 异步的 页 模式 读 150/25ns,
随机的 读 150ns
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程序编制 时间
– 16 文字 或者 8 翻倍-文字 写 缓存区
– 12us 文字 有效的 程序编制 时间
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记忆 BLOCKS
– 64 Equal blocks 的 1 Mbit
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电子的 SIGNATURE
– 生产者 代号: 20h
– 设备 代号 m58lw064a: 17h
– 设备 代号 m58lw064b: 14h
描述
这 M58LW064 是 一个 非-易变的 Flash 记忆
那 将 是 erased 用电气 在 the 块 水平的
和 编写程序 在-系统 在 一个 16 文字 或者 8
翻倍-文字 基准 使用 一个 2.7v 至 3.6v 供应 为
这 电路 和 一个 供应 向下 至 1.8v 为 这 输入
和 输出 缓存区. 这 M58LW064A 是 organised
作 4M 用 16 位. 这 M58LW064B 有 4M 用 16
位 或者 2M 用 32 位 organisation 可选择的 用 这
文字 Organisation 文字 输入. 两个都 设备 是
内部 配置 作 64 blocks 的 1 Mbit 各自.
FBGA
86
1
TSOP56 (nf)
LBGA54 (za)pqfp80 (t)
TSOP86 II (nh)
图示 1. 逻辑 图解
便条: 1. 仅有的 在 m58lw064b.
AI03223
22
a1-a22
W
dq0-dq31
V
DD
M58LW064A
M58LW064B
E
V
SS
32
G
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L
V
DDQ
B
K
RB
R
V
PP
文字
(1)
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