mitsubishi lsis
m5m51008bp,fp,vp,rv,kv,kr -55l,-70l,-10l,
-55ll,-70ll,-10ll
1048576-有点(131072-字 由 8-有点)cmos 静态 ram
1997-3/25
MITSUBISHI
电动
16
15
14
13
1
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
管脚 配置 (顶部 查看)
nc : 否 连接
描述
特点
类型 姓名
访问权限 时间
(最大值)
活动
(最大值)
备用
(最大值)
电源 供应 电流
这 m5m51008bp,fp,vp,rv,kv,kr 是 一个 1048576-有点 cmos
静态 ram 有组织的 作为 131072 字 由 8-有点 哪个 是
预制 使用 高性能 三倍 多晶硅 cmos
技术. 这 使用 的 电阻 荷载 nmos 细胞 和 cmos
外围 结果 入点 一个 高 密度 和 低 电源 静态 ram.
他们 是 低 备用 电流 和 低 操作 电流 和 理想
用于 这 蓄电池 备份 应用程序.
这 m5m51008bvp,rv,kv,kr 是 已打包 入点 一个 32-管脚 薄
小 大纲 包装 哪个 是 一个 高 可靠性 和 高 密度
表面 安装 设备(smd).两个 类型 的 设备 是 可用.
vp,kv(正常 铅 弯管 类型 包装),rv,kr(反向 铅 弯管
类型 包装). 使用 两者都有 类型 的 设备, 它 成为 很 容易
至 设计 一个 已打印 电路 板.
包装
应用程序
小 容量 记忆 单位
单独 +5v 电源 供应
低 备用 电流 0.3µa (典型值.)
直接 ttl 兼容 : 全部 输入 和 产出
容易 记忆 扩展 和 电源 向下 由 s1,s2
数据 保持 开启 +2v 电源 供应
三态 产出 : 或 - 领带 能力
oe 防止 数据 争用 入点 这 我/o 总线
普通 数据 我/o
nc
一个16
一个14
一个12
一个7
一个6
一个5
一个4
一个3
一个2
一个1
一个0
DQ1
DQ2
DQ3
地
v抄送
一个15
s2
w
一个13
一个8
一个9
一个11
oe
一个10
s1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
一个11
一个9
一个8
一个13
w
s2
一个15
v抄送
nc
一个16
一个14
一个12
一个7
一个6
一个5
一个4
oe
一个10
s1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
地
DQ3
DQ2
DQ1
一个0
一个1
一个2
一个3
一个4
一个5
一个6
一个7
一个11
一个2
一个0
oe
一个1
一个3
m5m51008bp,fp,vp,rv,kv,kr-55l 55ns
70ns
100ns
55ns
70ns
100ns
1
2
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17
18
19
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32
m5m51008bp,fp
m5m51008bvp,kv
一个14
一个16
nc
v抄送
一个15
s2
w
一个13
一个8
一个9
DQ1
DQ2
DQ3
地
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
s1
一个10
一个12
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大纲 32p4(p), 32p2m-一个(fp)
大纲 32p3h-e?(vp), 32p3k-b(kv)
地址
输入
芯片 选择
输入
写 控制
输入
地址
输入
输出 启用
输入
地址
输入
芯片 选择
输入
数据
输入/
产出
地址
输入
数据
输入/
产出
(1mhz)
M5M51008BP
············
32pin 600mil 倾角
M5M51008BFP
············
32pin 525mil sop
m5m51008bvp,rv
············
32pin 8 x 20 mm tsop
m5m51008bkv,kr
············
32pin 8 x 13.4 mm tsop
m5m51008brv,kr
大纲 32p3h-f(rv), 32p3k-c(kr)
m5m51008bp,fp,vp,rv,kv,kr-70l
m5m51008bp,fp,vp,rv,kv,kr-10l
m5m51008bp,fp,vp,rv,kv,kr-55ll
m5m51008bp,fp,vp,rv,kv,kr-70ll
m5m51008bp,fp,vp,rv,kv,kr-10ll
2
2
15mA
15mA
100µA
(vcc=5.5v)
20µA
(vcc=5.5v)
0.3µa
(vcc=3.0v,典型值)
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