©2002 仙童 半导体 公司
january 2002
rev. b, january 2002
isl9n307ap3/isl9n307as3st
闸门
来源
排水管
(法兰)
isl9n307ap3/isl9n307as3st
n通道 逻辑 水平 pwm 优化 ultrafet® 海沟 电源 mosfets
概述 描述
这个 设备 雇用 一个 新建 高级 海沟 场效应晶体管
技术 和 特点 低 闸门 费用 同时 维护
低 开启-电阻.
优化 用于 开关 应用程序, 这个 设备 改进
这 总体 效率 的 直流/直流 转换器 和 允许
操作 至 较高 开关 频率.
应用程序
• 直流/直流 转换器
特点
• 快 开关
•r
ds(开启)
= 0.006
Ω
(典型值), v
gs
= 10v
•r
ds(开启)
= 0.010
Ω
(典型值), v
gs
= 4.5v
•Q
g
(典型值) = 28nc, v
gs
= 5v
•Q
gd
(典型值) = 10nc
•C
国际空间站
(典型值) = 3000pf
场效应晶体管 最大值 额定值
t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明
热 特性
包装 标记 和 订购 信息
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
排水管 至 来源 电压 30 v
v
gs
闸门 至 来源 电压
±
20 v
我
d
排水管 电流
75 一个
连续 (t
c
= 25
o
c, v
gs
= 10v)
连续 (t
c
= 100
o
c, v
gs
= 4.5v) 52 一个
连续 (t
c
= 25
o
c, v
gs
= v, 右
θ
jc
= 43
o
c/w) 16 一个
脉冲 图 4 一个
p
d
电源 耗散
降额 以上 25
o
c
100
0.67
w
w/
o
c
t
j
, t
stg
操作 和 存储 温度 -55 至 175
o
c
右
θ
jc
热 电阻 接合点 至 案例 至-220, 至-263 1.36
o
c/w
右
θ
ja
热 电阻 接合点 至 环境 至-220, 至-263 62
o
c/w
右
θ
ja
热 电阻 接合点 至 环境 至-263, 1in
2
铜 衬垫 面积 43
o
c/w
设备 标记 设备 包装 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
N307AS ISL9N307AS3ST 至-263ab 330mm 24mm 800 单位
N307AP ISL9N307AP3 至-220ab 导管 n/一个 50 单位
d
g
s
至-263ab 至-220ab
排水管
(法兰)
排水管
来源
闸门
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