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资料编号:102665
 
资料名称:BC857AWT1
 
文件大小: 217.99K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(PNP Silicon)
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 收音机 公司, 有限公司.
k5–1/5
概述 目的 晶体管
pnp 硅
最大值 额定值
评级 符号 BC856 BC857 BC858 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
–65 –45 –30 v
collector–base 电压 v
CBO
–80 –50 –30 v
emitter–base 电压 v
EBO
–5.0 –5.0 –5.0 v
收集器 电流 — 连续
c
–100 –100 –100 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
p
d
150 mw
t
一个
= 25°c
热 电阻, 接合点 至 环境
θ
ja
833 °c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
bc856awt1 = 3a; bc856bwt1 = 3b; bc857awt1 = 3e; bc857bwt1 = 3f;
bc858awt1 = 3j; bc858bwt1 = 3k; bc858cwt1 = 3l
电气 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明.)
特性 符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
collector–emitter 击穿 电压
bc856 系列 – 65
(我
c
= –10 ma) bc857 系列 v
(br)ceo
– 45 v
bc858 系列 – 30
collector–emitter 击穿 电压
bc856 系列 – 80
(我
c
= –10
µ
一个, v
eb
= 0) bc857 系列 v
(br)消费电子展
– 50 v
bc858 系列 – 30
collector–base 击穿 电压 bc856 系列 – 80
(我
c
= – 10
µ
一个) bc857 系列 v
(br)cbo
– 50 v
bc858 系列 – 30
emitter–base 击穿 电压 bc856 系列 – 5.0
(我
e?
= – 1.0
µ
一个) bc857 系列, v
(br)ebo
– 5.0 v
bc858 系列 – 5.0
收集器 截止 电流 (v
cb
= – 30 v)
CBO
– 15 不适用
(v
cb
= – 30 v, t
一个
= 150°c) – 4.0
µ
一个
1.fr–5=1.0 x 0.75 x 0.062in
这些 晶体管 是 设计 用于 概述 目的
放大器 应用程序. 他们 是 已安置 入点 这 sot–323/
sc–70 哪个 是 设计 用于 低 电源 表面 安装
应用程序.
1
3
2
bc856awt1, bwt1
bc857awt1, bwt1
bc858awt1, bwt1
CWT1
2
发射器
3
收集器
1
底座
案例 419–02, 风格 3
sot– 323 / sc-70
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