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资料编号:1032125
 
资料名称:MMBT2222AWT1
 
文件大小: 72K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistor
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
Preliminary 信息
概述 目的 晶体管
npn 硅
这些 晶体管 是 设计 用于 概述 目的 放大器 应用程序-
区域. 他们 是 已安置 入点 这 sot–323/sc–70 包装 哪个 是
设计 用于 低 电源 表面 安装 应用程序.
最大值 额定值
评级 符号 单位
收集器 发射器 电压 v
CEO
40 Vdc
收集器 底座 电压 v
CBO
75 Vdc
发射器 底座 电压 v
EBO
6.0 Vdc
收集器 电流 — 连续
c
600 mAdc
合计 设备 耗散 fr– 5 板
t
一个
= 25
°
c
p
d
150 mW
热 电阻 接合点 至 环境
q
ja
833
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
55 至 +150
°
c
设备 标记
mmbt2222awt1 = 1p
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性 符号 最小 最大值 单位
收集器 发射器 击穿 电压
(1)
(我
c
= 1.0 madc, 我
B
= 0)
v
(br)ceo
40 Vdc
收集器 底座 击穿 电压
(我
c
= 10
m
adc, 我
e?
= 0)
v
(br)cbo
75 Vdc
发射器 底座 击穿 电压
(我
e?
= 10
m
adc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
6.0 Vdc
底座 截止 电流
(v
ce
= 60 vdc, v
eb
= 3.0 vdc)
bl
20 nAdc
收集器 截止 电流
(v
ce
= 60 vdc, v
eb
= 3.0 vdc)
CEX
10 nAdc
1. 脉冲 测试一下: 脉冲 宽度
v
300
m
s, 职责 循环
v
2.0%.
热 包层 是 一个 已注册 商标 的 这 berquist 公司.
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 mmbt2222awt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MMBT2222AWT1
摩托罗拉 首选 设备
1
2
3
案例 419 02, 风格 3
SOT– 323/sc 70
摩托罗拉, 公司 1997
收集器
3
1
底座
2
发射器
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