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记忆
所有 数据 薄板 是 主题 至 改变 没有 注意
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16 megabit (512k x 32-位)
89C1632
©2005 maxwell 科技.
所有 权利 保留.
mcm sram
01.10.05 rev 3
F
EATURES
:
• 四 512k x 8 sram architecture
•R
AD
-p
AK
® 技术 hardens 相反 自然的 空间 radia-
tion 技术
• 总的 剂量 硬度:
- > 100 克拉 (si), 取决于 在之上 空间 使命
• 极好的 单独的 事件 影响:
- sel > 101mev-cm
2
/mg
- seu 门槛 = 3 mev-cm
2
/mg
- seu saturated 交叉 部分: 6e-9 cm
2
/位
• 包装: 68-管脚 四方形 flat 包装
• 快 进入 时间: 20, 25 和 30 ns
• 完全地 静态的 记忆 - 非 时钟 或者 定时 strobe
必需的
• 内部的 绕过 电容
• 高-速 硅-门 cmos 技术
• 5v 或者 3v ±10% 电源 供应
• equal 地址 和 碎片 使能 进入 时间
• 三-状态 输出
• 所有 输入 和 输出 是 ttl 兼容
D
ESCRIPTION
:
maxwell 科技’ 89c1632 高-效能 16 mega-
位 multi-碎片 单元 (mcm) 静态的 随机的 进入 记忆
特性 一个 更好 比 100 克拉 (si) 总的 剂量 容忍,
取决于 在之上 空间 使命. 这 四 4-megabit sram 消逝
和 绕过 电容 是 组成公司的 在 一个 高-可依靠的
密封的 四方形 flat-包装 陶瓷的 包装. 和 高-perfor-
mance 硅-门 cmos 技术, 这 89c1632 减少
电源 消耗量 和 排除 这 需要 为 外部
clocks 或者 定时 strobes. 它 是 配备 和 输出 使能
(oe
) 和 四 字节 使能 (cs1- cs4) 输入 至 准许 更好
系统 flexibility. 当 oe
输入 是 高, 这 输出 是 强迫
至 高 阻抗.
maxwell 科技' 专利的 r
AD
-p
AK
® 包装 technol-
ogy 包含 辐射 防护 在 这 微型电路 包装-
age. 在 一个 geo 影响范围, r
AD
-p
AK
提供 真实 更好 比 100
克拉 (si) 总的 辐射 剂量 容忍, 依赖 在之上 空间
使命. 它 排除 这 需要 为 盒 防护 当 provid-
ing 这 必需的 辐射 防护 为 一个 存在期 在 影响范围 或者 一个
空间 使命. 这个 产品 是 有 和 放映 向上 至
maxwell 科技 自-定义 类 k.
cs 1-4
MCM
oe, 我们
地址
4mb sram 4mb sram 4mb sram 4mb sram
电源 地面
i/o 0-7 i/o 8-15 i/o 16-23 i/o 24-31
16 megabit (512k x 32-位) sram mcm
逻辑 图解
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