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1996
数据 薄板
mos 地方 效应 晶体管
2SK2159
n-频道 mos 场效应晶体管
为 高-速 切换
文档 非. d11235ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 六月 1996 p
打印 在 日本
这 2sk2159 是 一个 n-频道 vertical 类型 mos 场效应晶体管 featur-
ing 一个 运行 电压 作 低 作 1.5 v. 因为 它 能 是
驱动 在 一个 低 电压 和 它 是 不 需要 至 考虑
驱动 电流, 这 2sk2159 是 合适的 为 驱动 actuators 的
低-电压 可携带的 系统 此类 作 headphone 立体的 sets
和 camcorders.
特性
• 有能力 的 驱动 门 和 1.5 v
• 小 r
ds(在)
R
ds(在)
= 0.7
Ω
最大值 @v
GS
= 1.5 v, i
D
= 0.1 一个
R
ds(在)
= 0.3
Ω
最大值 @v
GS
= 4.0 v, i
D
= 1.0 一个
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
参数 标识 测试 情况 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
V
GS
= 0 60 V
门 至 源 电压 V
GSS
V
DS
= 0
±
14 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±
2.0 一个
流 电流 (脉冲波) I
d(脉冲波)
PW
≤
10 ms,
±
4.0 一个
职责 循环
≤
50 %
总的 电源 消耗 P
T
挂载 在 16 cm
2
×
0.7 mm 陶瓷的 基质.
2.0 W
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
1
2
3
2.5
±
0.1
4.0
±
0.25
3.0
1.5
0.42
±
0.06
0.47
±
0.06
0.8 最小值
0.42
±
0.06
1.5
±
0.1
0.41
–0.05
+0.03
2
3
门 保护
二极管
内部的 二极管
1
包装 维度
(在 毫米)
相等的 电路
管脚 连接
1. 源 (s)
2. 流 (d)
3. 门 (g)
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