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¡ 半导体
msm512200/l
描述
这 msm512200/l 是 一个 1,048,576-字
¥
2-有点 动态 ram 预制 入点 oki's 硅栅 cmos
技术. 这 msm512200/l 达到 高 集成, 高速 操作, 和 低功耗
消费 因为 oki 制造商 这 设备 入点 一个 四联-图层 多晶硅/单独-图层
金属 cmos 流程. 这 msm512200/l 是 可用 入点 一个 26/20-管脚 塑料 soj 或 26/20-管脚 塑料
tsop. 这 msm512200l (这 低功耗 版本) 是 特别 设计 用于 低功率 应用程序.
特点
• 1,048,576-字
¥
2-有点 配置
• 单独 5 v 电源 供应,
±
10% 公差
• 输入 : ttl 兼容, 低 输入 电容
• 输出 : ttl 兼容, 3-州
• 刷新 : 1024 循环次数/16 ms, 1024 循环次数/128 ms (l-version)
• 快 第页 模式, 阅读 修改 写 能力
•
cas
之前
ras
刷新, 隐藏 刷新,
ras
-仅 刷新 能力
• 多位 测试一下 模式 能力
• 包装 选项:
26/20-管脚 300 密耳 塑料 soj (soj26/20-p-300-1.27) (产品 : msm512200/l-xxsj)
26/20-管脚 300 密耳 塑料 tsop
(tsopii26/20-p-300-1.27-k)
(产品 : msm512200/l-xxts-k)
xx 表示 速度 等级.
产品 家庭
¡ 半导体
msm512200/l
1,048,576-字
¥
2-有点 动态 ram : 快 第页 模式 类型
msm512200/l-70
70 ns
130 ns
150 ns
385 mw
330 mw
5.5 mw/
家庭
访问权限 时间 (最大值.)
循环 时间
(最小.)
备用 (最大值.)
电源 耗散
msm512200/l-80
t
RAC
80 ns
35 ns
t
AA
40 ns
20 ns
t
CAC
20 ns
20 ns
t
OEA
20 ns
msm512200/l-60
60 ns
110 ns 440 mw
30 ns 15 ns 15 ns
操作 (最大值.)
0.55 mw (l-版本)
e2g0017-17-42
这个 版本: jan. 1998
上一个 版本: 将 1997
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