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资料编号:1057469
 
资料名称:MSM5432126
 
文件大小: 300472K
   
说明
 
介绍:
131,072-Word x 32-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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¡ 半导体
msm5432126/8
描述
这 msm5432126/8 是 一个 新建 世代 图形 dram 有组织的 入点 一个 131,072-字
¥
32-有点
配置. 这 技术 已使用 至 制作 这 msm5432126/8 是 oki's cmos 硅 闸门
流程 技术. 这 设备 操作 与 一个 单独 5 v 电源 供应.
特点
131,072-字
¥
32-有点 组织机构
单独 5 v 电源 供应,
±
10% 公差
刷新: 512 循环次数/8 ms
快 第页 模式 与 扩展 数据 出点 (edo)
写 按 有点 (msm5432128 仅)
字节 写, 字节 阅读
ras
仅 刷新
cas
之前
ras
刷新
隐藏 刷新
包装:
64-管脚 525 密耳 塑料 ssop (ssop64-p-525-0.80-k) (产品 : msm5432126-xxgs-k)
(产品 : msm5432128-xxgs-k)
xx 表示 速度 等级.
产品 家庭
¥
32-有点 动态 ram : 快 第页 模式 类型 与 edo
初步
家庭
t
RAC
50 ns
60 ns
操作 (最大值.)
907 mw
880 mw
电源 耗散
循环 时间
(最小.)
110 ns
130 ns
msm5432126/8-50
msm5432126/8-60
t
AA
25 ns
30 ns
t
CAC
15 ns
18 ns
备用 (最大值.)
访问权限 时间 (最大值.)
11 mw
t
OEA
15 ns
18 ns
45 ns 935 mw100 nsmsm5432126/8-45 23 ns 13 ns 13 ns
这个 版本: jan. 1998
上一个 版本: 12月. 1996
e2l0045-17-y1
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