M25P40_集成电路资料查询网

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产品 预告(展)
九月 2001
这个 是 初步的 信息 在 一个 新 产品 now 在 开发. 详细信息 是 主题 至 改变 没有 注意.
M25P40
4 mbit, 低 电压, 串行 flash 记忆
和 20 mhz spi 总线 接口
特性 summary
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4 mbit 的 flash 记忆
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页 程序 (向上 至 256 字节) 在 2 ms
(典型)
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sector 擦掉 (512 kbit) 在 2 s (典型)
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大(量) 擦掉 (4 m位) 在 8 s (典型)
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2.7 v 至 3.6 v 单独的 供应 电压
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spi 总线 兼容 串行 接口
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20 mhz 时钟 比率 (最大)
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深的 电源-向下 模式 1
µ
一个 (典型)
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电子的 signature
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更多 比 100,000 擦掉/程序 循环 每
Sector
■
更多 比 20 年 数据 保持
图示 1. 包装
so8 (mn)
150 mil 宽度
8
1

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1/33 产品预告(展) 九月 2001 这个是初步的信息在一个新产品 now 在开发. 详细信息是主题至改变没有注意. M25P40 4 mbit, 低电压, 串行 flash 记忆和 20 mhz spi 总线接口特性 summary ■ 4 mbit 的 flash 记忆 ■ 页程序 (向上至 256 字节) 在 2 ms (典型) ■ sector 擦掉 (512 kbit) 在 2 s (典型) ■ 大(量) 擦掉 (4 m位) 在 8 s (典型) ■ 2.7 v 至 3.6 v 单独的供应电压 ■ spi 总线兼容串行接口 ■ 20 mhz 时钟比率 (最大) ■ 深的电源-向下模式 1 µ 一个 (典型) ■ 电子的 signature ■ 更多比 100,000 擦掉/程序循环每 Sector ■ 更多比 20 年数据保持图示 1. 包装 so8 (mn) 150 mil 宽度 8 1

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