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26104
rev:
一个
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问题 日期:
将 13, 2002
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Am41PDS3228D
堆叠式 多芯片 包装 (mcp) 闪光灯 记忆 和 sram
am29pds322d 32 兆位 (2 m x 16-有点) cmos 1.8 电压-仅, 同时 operation,
第页 模式 闪光灯 记忆 和 8 mbit (1 m x 8-有点/512 k x 16-有点) 静态 ram
与众不同 特性
mcp 特点
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电源 供应 电压 的 1.8 至 2.2 电压
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高 业绩
— 访问权限 时间 作为 快 作为 100 ns 闪光灯, 70 ns sram
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包装
— 73-球 fbga
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操作 温度
— –40°c 至 +85°c
闪光灯 记忆 特点
建筑 优点
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同时 阅读/写 运营
— 数据 可以 是 连续 阅读 从 一个 银行 同时
执行 擦除/程序 功能 入点 其他 银行.
— 零 延迟 之间 阅读 和 写 运营
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第页 模式 操作
— 4 字 第页 允许 快 异步 读取
■
双 银行 体系结构
— 一个 4 mbit 银行 和 一个 28 mbit 银行
■
secsi (已固定 硅) 部门: 额外的 64 kbyte 部门
—
工厂 已锁定 和 可识别:
16 字节 电子 串行
号码 可用 用于 工厂 安全, 随机 id; 可验证
作为 工厂 已锁定 通过 自动选择 功能. expressflash
选项 允许 整个 部门 至 是 可用 用于
工厂固定 数据
—
客户 可上锁:
可以 是 阅读, 编程, 或 已擦除
只是 喜欢 其他 扇区. 一次 已锁定, 数据 不能 是 已更改
■
零 电源 操作
— 复杂的 电源 管理 电路 减少 电源
已消耗 期间 不活动 期间 至 近 零.
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顶部 或 底部 引导 块
■
已制造 开启 0.23 µm 流程 技术
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兼容 与 电子元件工业联合会 标准
— 引出线 和 软件 兼容 与 单电源
闪光灯 标准
业绩 特性
■
高 业绩
— 随机 访问权限 时间 的 100 ns 在 1.8 v 至 2.2 v v
抄送
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超 低 电源 消费 (典型 数值)
— 2.5 ma 活动 阅读 电流 在 1 mhz 用于 初始 第页 阅读
— 24 ma 活动 阅读 电流 在 10 mhz 用于 初始 第页 阅读
— 0.5 ma 活动 阅读 电流 在 10 mhz 用于 内部-第页 阅读
— 1 ma 活动 阅读 电流 在 20 mhz 用于 内部-第页 阅读
— 200 不适用 入点 备用 或 自动 睡眠 模式
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最小值 1 百万 写 循环次数 保证 按 部门
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20 年份 数据 保留 在 125
°
c
— 可靠 操作 用于 这 生活 的 这 系统
软件 特点
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数据 管理 软件 (dms)
— amd-提供的 软件 管理 数据 编程,
启用 可擦可编程只读存储器 仿真
— 缓解 历史 部门 擦除 闪光灯 限制
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擦除 挂起/擦除 简历
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data# 轮询 和 切换 比特
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解锁 旁路 程序 命令
— 减少 总体 编程 时间 当 签发 多个
程序 命令 序列
硬件 特点
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任何 组合 的 扇区 可以 是 已擦除
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准备就绪/busy# 输出 (ry/by#)
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硬件 重置 管脚 (reset#)
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wp#/acc 输入 管脚
— 写 保护 (wp#) 功能 允许 保护 的 两个
最外层 引导 扇区, 无论如何 的 部门 保护 状态
— 加速度 (acc) 功能 加速 程序 计时
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部门 保护
— 硬件 方法 的 锁定 一个 部门, 要么 在系统内 或
使用 编程 设备, 至 防止 任何 程序 或
擦除 操作 内 那 部门
— 临时 部门 取消保护 允许 变化 数据 入点
保护 扇区 在系统内
sram 特点
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电源 耗散
— 操作: 2 ma 典型
— 备用: 0.5 µa 典型
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ce1s# 和 ce2s 芯片 选择
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电源 向下 特点 使用 ce1s# 和 ce2s
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数据 保留 供应 电压: 1.0 至 2.2 电压
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字节 数据 控制: lb#s (dq7–dq0), ub#s (dq15–dq8)
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