630
晶体管
2SD1819A
硅 npn 外延 planer 类型
用于 概述 放大
互补 至 2sb1218a
■
特点
●
高 foward 电流 转让 比率 h
铁
.
●
低 收集器 至 发射器 饱和度 电压 v
ce(sat)
.
●
s-迷你 类型 包装, 允许 downsizing 的 这 设备 和
自动 插入 通过 这 胶带 填料 和 这 杂志
填料.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
单位: mm
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
峰值 收集器 电流
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
存储 温度
1:底座
2:发射器 eiaj:sc–70
3:收集器 smini3-g1 包装
2.1
±0.1
1.3
±0.1
0.3
+0.1
Ð0.0
2.0
±0.2
1.25
±0.10
(0.425)
1
3
2
(0.65)
(0.65)
0.2
±0.1
0.9
±0.1
0to0.1
0.9
+0.2
Ð0.1
0.15
+0.10
Ð0.05
5û
10û
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
cp
我
c
p
c
t
j
t
stg
额定值
60
50
7
200
100
150
150
–55 ~ +150
单位
v
v
v
ma
ma
mW
˚C
˚C
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
前进 电流 转让 比率
收集器 至 发射器 饱和度 电压
过渡 频率
收集器 输出 电容
符号
我
CBO
我
CEO
v
CBO
v
CEO
v
EBO
h
FE1
*
h
FE2
v
ce(sat)
f
t
c
ob
条件
v
cb
= 20v, 我
e?
= 0
v
ce
= 10v, 我
B
= 0
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0
我
c
= 2ma, 我
B
= 0
我
e?
= 10
µ
一个, 我
c
= 0
v
ce
= 10v, 我
c
= 2ma
v
ce
= 2v, 我
c
= 100ma
我
c
= 100ma, 我
B
= 10ma
v
cb
= 10v, 我
e?
= –2ma, f = 200mhz
v
cb
= 10v, 我
e?
= 0, f = 1mhz
最小
60
50
7
160
90
典型值
0.1
150
3.5
最大值
0.1
100
460
0.3
单位
µ
一个
µ
一个
v
v
v
v
MHz
pf
标记 符号 :
z
*
h
FE1
等级 分类
等级 q 右 s
h
FE1
160 ~ 260 210 ~ 340 290 ~ 460
标记 符号 ZQ ZR ZS
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