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资料编号:1082645
 
资料名称:IRF640S
 
文件大小: 99459K
   
说明
 
介绍:
N-channel TrenchMOS TM transistor
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
n通道 trenchmos
晶体管 irf640, irf640s
特点 符号 快速 参考 数据
’Trench’
技术
• 低 开启状态 电阻
v
DSS
= 200 v
• 快 开关
• 低 热 电阻
d
= 16 一个
ds(开启)
180 m
概述 描述
n通道, 增强功能 模式 场效应 电源 晶体管 使用
海沟
技术, 预期 用于 使用 入点 离线
已切换 模式 电源 供应品, t.v. 计算机 显示器 电源 供应品, d.c. d.c. 转换器, 电机 控制 电路
概述 目的 开关 应用程序.
IRF640 提供的 入点 SOT78 (to220ab) 常规 含铅 包装.
IRF640S 提供的 入点 SOT404 (d
2
pak) 表面 安装 包装.
固定 sot78 (to220ab) sot404 (d
2
pak)
管脚 描述
1 闸门
2 排水管
1
3 来源
选项卡 排水管
限制 数值
限制 数值 入点 符合 与 这 绝对 最大值 系统 (iec 134)
符号 参数 条件 最小值 最大值 单位
v
DSS
漏源 电压 t
j
= 25 ˚c 至 175˚c - 200 v
v
DGR
漏极-栅极 电压 t
j
= 25 ˚c 至 175˚c; 右
gs
= 20 k
- 200 v
v
gs
栅极-源极 电压 -
±
20 v
d
连续 排水管 电流 t
mb
= 25 ˚c; v
gs
= 10 v - 16 一个
t
mb
= 100 ˚c; v
gs
= 10 v - 11 一个
dm
脉冲 排水管 电流 t
mb
= 25 ˚c - 64 一个
p
d
合计 电源 耗散 t
mb
= 25 ˚c - 136 w
t
j
, t
stg
操作 接合点 和 - 55 175 ˚C
存储 温度
d
g
s
13
选项卡
2
123
选项卡
1
它 是 不 可能 至 制造 连接 至 管脚:2 的 这 sot404 包装
8月 1999 1 rev 1.100
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