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电源 晶体管
2SD2250
硅 npn 三倍 diffusion 平面 类型 darlington
用于 电源 放大
互补 至 2sb1490
■
特点
●
最佳 用于 80w hifi 输出
●
高 foward 电流 转让 比率 h
铁
: 5000 至 30000
●
低 收集器 至 发射器 饱和度 电压 v
ce(sat)
: &指示灯;2.5v
■
绝对 最大值 额定值
(t
c
=25˚c)
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
峰值 收集器 电流
收集器 电流
收集器 电源
耗散
接合点 温度
存储 温度
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
cp
我
c
p
c
t
j
t
stg
额定值
160
140
5
12
7
90
3.5
150
–55 至 +150
单位
v
v
v
一个
一个
w
˚C
˚C
■
电气 特性
(t
c
=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
发射器 截止 电流
收集器 至 发射器 电压
前进 电流 转让 比率
收集器 至 发射器 饱和度 电压
底座 至 发射器 饱和度 电压
过渡 频率
打开 时间
存储 时间
坠落 时间
符号
我
CBO
我
CEO
我
EBO
v
CEO
h
FE1
h
FE2
*
v
ce(sat)
v
是(sat)
f
t
t
开启
t
stg
t
f
条件
v
cb
= 160v, 我
e?
= 0
v
ce
= 140v, 我
B
= 0
v
eb
= 5v, 我
c
= 0
我
c
= 30ma, 我
B
= 0
v
ce
= 5v, 我
c
= 1a
v
ce
= 5v, 我
c
= 6a
我
c
= 6a, 我
B
= 6ma
我
c
= 6a, 我
B
= 6ma
v
ce
= 10v, 我
c
= 0.5a, f = 1mhz
我
c
= 6a, 我
B1
= 6ma, 我
B2
= –6ma,
v
抄送
= 50v
最小
140
2000
5000
典型值
20
2.5
5.0
2.5
最大值
100
100
100
30000
2.5
3.0
单位
µ
一个
µ
一个
µ
一个
v
v
v
MHz
µ
s
µ
s
µ
s
*
h
FE2
等级 分类
等级 q p
h
FE2
5000 至 15000 8000 至 30000
t
c
=25
°
c
Ta=25
°
c
单位: mm
内部 连接
1:底座
2:收集器
3:发射器
top–3l 包装
20.0
±
0.5
6.010.0
26.0
±
0.520.0
±
0.5
1.5
2.5
焊料 倾角
10.9
±
0.5
123
2.0
±
0.3
3.0
±
0.3
1.0
±
0.2
5.0
±
0.3
3.0
4.02.0
5.45
±
0.3
0.6
±
0.2
1.5
2.7
±
0.3
1.5
2.0
φ
3.3
±
0.2
3.0
B
e?
c
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