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发行 日期: march 2002 SJC00098BED
晶体管
■
电的 特性
T
一个
=
25
°
C
2SC0829
(2sc829)
硅 npn 外延的 planar 类型
为 高-频率 放大器
■
特性
•
最佳的 为 rf 放大器, 振动, 混合, 和 如果 平台
的 fm/am 收音机
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
30 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
20 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
5V
集电级 电流 I
C
30 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
400 mW
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
I
C
=
10
µ
一个, i
E
=
030 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
=
2 毫安, i
B
=
020V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
I
E
=
10
µ
一个, i
C
=
05 V
向前 电流 转移 比率
*
h
FE
V
CE
=
10 v, i
C
=
1 毫安 70 250
转变 频率 f
T
V
CB
=
10 v, i
C
=
1 毫安, f
=
200 mhz 150 230 MHz
一般 发射级 反转 转移 电容
C
re
V
CE
=
10 v, i
C
=
1 毫安, f
=
10.7 mhz 1.3 1.6 pF
反转 转移 阻抗 Z
rb
V
CB
=
10 v, i
E
=
−
1 毫安, f
=
2 mhz 60
Ω
分级 B C
h
FE
70 至 160 110 至 250
单位: mm
■
绝对 最大 比率
T
一个
=
25
°
C
1: 发射级
2: 集电级
3: 根基
eiaj: sc-43a
至-92-b1 包装
5.0
±
0.2
0.7
±
0.1
0.45
+0.15
–0.1
2.5
+0.6
–0.2
0.45
+0.15
–0.1
2.5
123
+0.6
–0.2
4.0
±
0.2
5.1
±
0.2
12.9
±
0.5
2.3
±
0.2
0.7
±
0.2
便条) 这 部分 号码 在 这 parenthesis 显示 常规的 部分 号码.
便条)
*
: h
FE
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