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资料编号:1086335
 
资料名称:IR135DM12CCB
 
文件大小: 17310K
   
说明
 
介绍:
STANDARD RECOVERY DIODES
 
 


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浏览型号IR135DM12CCB的Datasheet PDF文件第2页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
www.irf.com
接合面 大小:
rectangular 135 x 100 毫英寸
薄脆饼 大小:
4"
V
RRM
类:
1200 v
passivation 处理:
glassivated moat
涉及 ir packaged 部分:
8ews..s 序列
标准 恢复 二极管
IR135DM12CCB
主要的 比率 和 特性
V
FM
最大 向前 电压 1.1 v T
J
= 25°c, i
F
= 8 一个
V
RRM
反转 损坏 电压 1200 v T
J
= 25°c, i
RRM
= 100 µa
(1)
机械的 特性
名义上的 后面的 metal composition, 厚度 cr - ni - ag (1 ka - 4 ka - 6 ka)
名义上的 front metal composition, 厚度 100% al, (20 µm)
碎片 维度 135 x 100 毫英寸 (看 绘画)
薄脆饼 直径 100 mm, 和 标准. < 110 > flat
薄脆饼 厚度 300 µm, ± 10 µm
最大 宽度 的 sawing 线条 45 µm
reject ink 点 大小 0.25 mm 直径 最小
ink 点 location 看 绘画
推荐 存储 环境 存储 在 原来的 container, 在 dessicated
nitrogen, 和 非 contamination
公告 i0122j rev. 一个 02/97
(1)
nitrogen 流动 在 消逝 边缘.
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