irf640s/l
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd -90902b
s
d
g
描述
7/20/99
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.0
右
θ
ja
交叉点到环境 ( pcb 已安装,稳定-州)** ––– 40
热 电阻
°c/w
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
18
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
11 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
72
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 3.1 w
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 130 w
线性 降额 因素 1.0 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
580 mJ
我
ar
雪崩 电流
18 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
13 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
绝对 最大值 额定值
表面 安装 (irf640s)
低调 通孔 (irf640l)
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴 (irf640s)
动态 设计验证/dt 评级
150°c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
2
dPak
至-262
v
DSS
= 200v
右
ds(开启)
= 0.18
Ω
我
d
= 18a
第三 世代 hexfets 从 国际 整流器 提供
这 设计师 与 这 最好 组合 的 快 开关 ,
加固 设备 设计, 低 导通电阻 和 成本-
有效性.
这 d
2
pak 是 一个 表面 安装 电源 包装 有能力 的
可容纳性 模具 尺码 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这 最高
电源 能力 和 这 最低 可能 导通电阻 入点 任何
现有 表面 安装 包装. 这 d
2
pak 是 适合 用于 高
电流 应用程序 因为 的 其 低 内部 连接
电阻 和 可以 消散 向上 至 2.0w 入点 一个 典型 表面
安装 应用程序.这 通孔 版本 (irf640l) 是
可用 用于 低调 应用程序.
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