irfr/u024n
初步
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
s
d
g
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 3.3
右
θ
ja
案例到环境 (pcb 安装)** ––– 50 °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 110
热 电阻
v
DSS
= 55v
右
ds(开启)
= 0.075
Ω
我
d
= 17a
描述
www.irf.com 1
d-pak
至-252aa
我-pak
至-251aa
超 低 导通电阻
表面 安装 (irfr024n)
直线 铅 (irfu024n)
高级 流程 技术
快 开关
完全 雪崩 额定
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器 利用 高级
加工 技术 至 实现 这 最低 可能 导通电阻 按
硅 面积. 这个 效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井 已知 用于,
提供 这 设计师 与 一个 极其 高效 设备 用于 使用 入点 一个 宽
品种 的 应用程序.
这 d-pak 是 设计 用于 表面 安装 使用 蒸气 相位, 红外线, 或
波浪 焊接 技术. 这 直线 铅 版本 (irfu 系列) 是 用于
通孔 安装 应用程序. 电源 耗散 级别 向上 至 1.5 瓦特
是 可能 入点 典型 表面 安装 应用程序.
** 当 已安装 开启 1" 方块字 pcb (右前-4 或 g-10 材料 ) .
用于 推荐 占地面积 和 焊接 技术 参考 至 应用程序 备注 #an-994
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 17
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 12 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
68
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 45 w
线性 降额 因素 0.30 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
71 mJ
我
ar
雪崩 电流
10 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
4.5 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
绝对 最大值 额定值
pd- 9.1336a
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