IRFZ24VS
IRFZ24VL
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
02/14/02
v
DSS
= 60v
右
ds(开启)
= 60m
Ω
我
d
= 17a
s
d
g
高级 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际 整流器 利用
高级 加工 技术 至 实现 极其 低 导通电阻
按 硅 面积. 这个 效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井 已知
用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于
使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 d
2
pak 是 一个 表面 安装 电源 包装 有能力 的 可容纳性
模具 尺码 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这 最高 电源 能力 和 这
最低 可能 导通电阻 入点 任何 现有 表面 安装 包装. 这
d
2
pak 是 适合 用于 高 电流 应用程序 因为 的 其 低 内部
连接 电阻 和 可以 消散 向上 至 2.0w 入点 一个 典型 表面
安装 应用程序.
这 通孔 版本 (irfz24vl) 是 可用 用于 低调 应用程序.
高级 流程 技术
超 低 导通电阻
动态 设计验证/dt 评级
175
°
c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
优化 用于 smps 应用程序
描述
绝对 最大值 额定值
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
17
我
d
@ t
c
= 100
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
12 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
68
p
d
@T
c
= 25
°
c 电源 耗散 44 w
线性 降额 因素 0.29 w/
°
c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
我
ar
雪崩 电流
17 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
4.4 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
4.2 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°
c
d
2
Pak
IRFZ24VS
至-262
IRFZ24VL
www.irf.com 1
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体
–––
3.4
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 已安装)**
–––
40
热 电阻
°
c/w
pd - 94182
: 点此下载
