July1998
FDS8928A
双 n &放大器; p沟道 增强功能 模式 字段 效果 晶体管
概述 描述 特点
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明
符号 参数 n通道 p沟道 单位
v
DSS
漏源 电压 30 -20 v
v
GSS
栅极-源极 电压 8 -8 v
我
d
排水管 电流 - 连续(备注 1a) 5.5 -4 一个
- 脉冲 20 -20
p
d
电源 耗散用于 双操作 2 w
电源 耗散用于 单独 操作(备注 1a) 1.6
(备注 1b) 1
(备注 1c) 0.9
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境(备注 1a) 78 °c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体(备注 1) 40 °c/w
FDS8928Arev. b
soic-16sot-23 SuperSOT
tm
-8 所以-8 sot-223
SuperSOT
tm
-6
这些双 n-和 p-频道 增强功能 模式 电源
字段 效果 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专有, 高 细胞 密度, dmos 技术. 这个 很
高 密度 流程 是 尤其是 量身定制 至 最小化
开启状态 电阻 和 提供 上级 开关
业绩. 这些 设备 是 特别是 适合 用于 低
电压 应用程序 这样的 作为 笔记本 计算机 电源
管理 和 其他 蓄电池 通电 电路 在哪里 快
开关, 低 在线 电源 损失, 和 电阻 至
瞬变 是 需要.
n通道 5.5一个,30 v,右
ds(开启)
=0.030
Ω
@ v
gs
=4.5 v
右
ds(开启)
=0.038
Ω
@ v
gs
=2.5v.
p沟道 -4一个,-20v,右
ds(开启)
=0.055
Ω
@ v
gs
=-4.5 v
右
ds(开启)
=0.072
Ω
@ v
gs
=-2.5v.
高 密度 细胞 设计用于 极其 低 右
ds(开启)
.
高 电源 和 电流 搬运 能力 入点 一个 广泛 已使用
表面 安装 包装.
双 (n &放大器; p-频道) 场效应晶体管 入点 表面 安装 包装.
S1
D1
S2
G1
所以-8
D2
D2
D1
G2
FDS
8928A
管脚
1
3
5
7
8
2
1
4
1
6
© 1998 仙童 半导体 公司
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