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s3c44b0x 16/32 RISC
S3C44B0X2.5v
ARM7TDMI
8kcache ;内部 sram;lcd
控制器(256STN LCD dma)
2-ch uart 与 握手(irda1.0,
16-字节 先进先出) / 1-ch sio 2-ch 概述 dmas / 2-ch 外围设备 铝 dmas 与 外部 请求
针脚 外部 记忆 控制器 (芯片 select 逻辑, fp/ edo/sdram 控制器) 5-ch pwm
计时器 &放大器; 1-ch 内部 计时器手表 狗 计时器 71 概述 目的 我/o 端口 / 8-ch 外部
中断 来源 rtc 与 日历 功能 8-ch 10-有点 adc 1-ch 多主机 iic-总线
控制器 1-ch iis-总线 控制器 同步. sio 接口 和 片上 时钟 发电机 与
pll.
S3C44B0X手臂 cpu -samba2 66MHZ
正常, 慢, 慢车, 和 停止 模式
1 小/大 字节序 支持.
2 地址 空间: 32mbytes 按 每个 银行. (合计 256mbyte)
3
支架 可编程 8/16/32-有点 数据 总线 宽度 用于 每个 银行.
4 固定 银行 开始 地址 和 可编程 银行 尺寸 用于 7 银行.
5 .
8 记忆 银行.
- 6 记忆 银行 用于 rom, sram 等
- 2 记忆 银行 用于 rom/sram/dram(fast 第页, edo, 和 同步 dram)
6.
完全 可编程 访问权限 循环次数 用于 全部 记忆 银行.
7
支架 外部 等待 信号 至 expend 这 总线 循环.
8.
支架 自刷新 模式 入点dram/sdram 用于 电源-向下.
9.
支架 不对称/symme多里克 地址 的 dram.
高速缓存 :
•
4-方式 设置 联想 id(统一)-高速缓存 与 8kbyte.
•
这 0/4/8 千字节 内部 sram 使用 未使用 高速缓存 记忆.
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伪 lru(最小 最近 美国ed) 更换 算法.
•
写 通过 政策 至 维护 这coherence 之间 主 记忆 和 高速缓存
内容.
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写 缓冲区 与 四 深度.
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请求 数据 第一 填充 技术 当 高速缓存 小姐 发生.
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低 电源
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这 片上 pll 使 这 时钟 用于 操作 mcu 在 最大值 66mhz.
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时钟 可以 是 美联储 选择性地 至每个 功能 块 由 软件.
•
电源 模式: 正常, 慢, 慢车 和 停止 模式.
正常 模式: 正常 操作 模式.
慢 模式: 低 频率 时钟 无 pll
慢车 模式: 停止 这 时钟 用于 仅 cpu
停止 模式: 全部 时钟 是 已停止
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