2SA2005
晶体管
1/1
用于 音频 放大器 输出 - tv velosity
调制 (
−
160v,
−
1.5a)
2SA2005
z
结构
z
外部 尺寸
(单位 : mm)
pnp 硅 外延 平面 晶体管
至-220fn
(1)底座
(2)收集器
(3)发射器
4.5
2.8
0.75
φ
3.2
(
2
)(
3
)(
1
)
0.8
2.54 2.62.54
1.3
1.2
14.0
12.0
8.05.0
10.0
15.0
z
特点
1) 电气 特性 的 直流 电流 增益 h
铁
是 扁平.
2) 高 击穿 电压. (bv
CEO
=
−
160v(最小.), 在 我
c
=
−
1ma)
3) 高 f
t
. (典型值. 150mhz, 在 v
ce
=
−
10v, 我
e?
=0.2a, f=100mhz)
4) 宽 soa.
z
应用程序
z
补件
电源 放大器
velosity 调制
pnp
2SA2005
npn
2SC5511
z
绝对 最大值 额定值
(助教=25
°
c)
z
包装 规格 和 h
铁
h
铁
数值 是 已分类 作为 跟随:
z
电气 特性
(助教=25
°
c)
参数 条件
收集器-底座 击穿 电压
我
c
=
−
50
µ
一个
集电极-发射极 击穿 电压
我
c
=
−
1mA
发射器-底座 击穿 电压
我
e?
=
−
50
µ
一个
收集器 截止 电流
v
cb
=
−
160V
发射器 截止 电流
v
eb
=
−
4V
集电极-发射极 饱和度 电压
我
c
/我
B
=
−
1a/
−
0.1a
直流 电流 增益
v
ce
=
−
5v, 我
c
=
−
0.1a
过渡 频率
v
ce
=
−
10v, 我
e?
=0.2a , f=100mhz
收集器 输出 电容
符号
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
我
CBO
我
EBO
v
ce(sat)
h
铁
f
t
Cob
最小值
−
160
−
160
−
5
−
−
−
100
−
−
典型值
−
−
−
−
−
−
−
150
35
最大值
−
−
−
−
1.0
−
1.0
−
1.0
200
−
−
单位
v
v
v
µ
一个
µ
一个
v
基极-发射极 饱和度 电压
我
c
/我
B
=
−
1a/
−
0.1a
v
是(sat)
−−−
1.5
v
−
MHz
pf
v
cb
=
−
10v , 我
e?
=0a , f=1mhz
包装
代码
−
录音
基本 订购 单位 (件)
2SC5511 e?
500
类型
h
铁
100 至 200
h
铁
项目 e?
收集器 电源 耗散
p
2
w(助教=25
参数
集电极-发射极 电压
发射器-底座 电压
收集器 电流
接合点 温度
存储 温度
c
符号
CBO
v
CEO
v
EBO
我
c
Tj
Tstg
限制
160
−
160
−
5
−
1.5
20
150
−
55 至
+
150
单位
v
v
一个
我
cp
直流
脉冲
−
3
一个
°
c
收集器-底座 电压
v
−
v
)
w(tc=25
°
c)
°
c
°
c
∗
1
∗
1 t=100ms
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