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资料编号:1115778
 
资料名称:2SC536
 
文件大小: 32K
   
说明
 
介绍:
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
 
 


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1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
jiangsu changjiang 电子产品 技术 一氧化碳., 有限公司
至-92 塑料-encapsulate 晶体管
2SC536
晶体管 (npn)
特点
电源 耗散
p
厘米
: 400 mw(tamb=25
)
收集器 电流
厘米
: 100 ma
收集器-底座 电压
v
(br)cbo
: 40 v
操作 和 存储 接合点 温度 范围
t
j
, t
stg
: -55
至 +150
电气 特性 (tamb=25
参数 符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值
单位
收集器-底座 击穿 电压
v
(br)cbo
集成电路=100µa, 我
e?
=0 40 v
集电极-发射极 击穿 电压
v
(br)ceo
集成电路=1ma, 我
B
=0 30 v
发射器-底座 击穿 电压
v
(br)ebo
e?
=100µa, 我
c
=0 5 v
收集器 截止 电流
CBO
v
cb
=35v, 我
e?
=0 1 µa
发射器 截止 电流
EBO
v
eb
=4v, 我
c
=0 1 µa
直流 电流 增益
h
v
ce
=6v, 我
c
=1ma 60 960
集电极-发射极 饱和度 电压
v
ce
(sat) 我
c
=50ma, 我
B
=5ma 0.5 v
过渡 频率
f
t
v
ce
=6v, 我
c
=1ma 100 mhz
收集器 输出 电容
cob v
ce
=6v, f=1mhz 3.5 pf
分类 的 h
等级 d e? f g h
范围
60-120 100-200 160-320 280-560 480-960
1
2
3
至-92
1. 发射器
2. 收集器
3. 底座
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