mrf284lr1 mrf284lsr1
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rf 设备 数据
飞思卡尔 半导体
rf 电源 字段 效果 晶体管
n-频道 增强功能-模式 横向 mosfets
设计 用于 pcn 和 pcs 底座 车站 应用程序 与 频率 从
1000 至 2600 mhz. 适合 用于 调频, tdma, cdma, 和 多载波 放大器
应用程序. 至 是 已使用 入点 类 一个 和 类 ab 用于 pcn-pcs/细胞 收音机
和 无线 本地 回路.
•
指定 两个-音调 业绩 @ 2000 mhz, 26 伏特
输出 电源 = 30 瓦特 pep
电源 增益 = 9 db
效率 = 30%
互调 失真 =-29 dbc
•
典型 单独-音调 业绩 在 2000 mhz, 26 伏特
输出 电源 = 30 瓦特 cw
电源 增益 = 9.5 db
效率 = 45%
•
有能力 的 搬运 10:1 vswr, @ 26 vdc, 2000 mhz, 30 瓦特 cw
输出 电源
•
优秀 热 稳定性
•
表征 与 系列 等效 大型-信号 阻抗 参数
•
入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按 32 mm, 13 英寸 卷轴.
•
低 黄金 电镀 厚度 开启 导联. l 后缀 表示 40
µ″
标称值.
表 1. 最大值 额定值
评级 符号 值 单位
排水管-来源 电压 v
DSS
-0.5, +65 Vdc
闸门-来源 电压 v
gs
±
20 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
87.5
0.5
w
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
- 65 至 +150
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
表 2. 热 特性
特性 符号 值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 右
θ
jc
2.0
°
c/w
表 3. 电气 特性
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性 符号 最小 Typ 最大值 单位
关 特性
排水管-来源 击穿 电压
(v
gs
= 0, 我
d
= 10
µ
adc)
v
(br)dss
65 — — Vdc
零 闸门 电压 排水管 电流
(v
ds
= 20 vdc, v
gs
= 0)
我
DSS
— — 1.0
µ
adc
闸门-来源 泄漏 电流
(v
gs
= 20 vdc, v
ds
= 0)
我
GSS
— — 10
µ
adc
(续)
备注 -
注意事项
-mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
文件 号码: mrf284
rev. 16, 5/2005
飞思卡尔 半导体
技术类 数据
MRF284LR1
MRF284LSR1
2000 mhz, 30 w, 26 v
横向 n-频道
宽带
rf 电源 mosfets
案例 360b-05, 风格 1
ni-360
MRF284LR1
案例 360c-05, 风格 1
ni-360S
MRF284LSR1
飞思卡尔 半导体, 股份有限公司., 2005. 全部 权利 保留.
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