UPA862TD
nec's npn 硅 rf
双胞胎 晶体管
零件 号码 UPA862TD
包装 大纲 td
符号 参数 和 条件 单位 最小 典型值 最大值
我
CBO
收集器 截止 电流 在 v
cb
= 5 v, 我
e?
= 0
不适用 100
我
EBO
发射器 截止 电流 在 v
eb
= 1 v, 我
c
= 0
不适用 100
h
铁
直流 电流 增益
1
在 v
ce
= 3 v, 我
c
= 10 ma 75 110 150
f
t
增益 带宽 在 v
ce
= 3 v, 我
c
= 10 ma, f = 2 ghz GHz 10 12
cre 反馈 电容
2
在 v
cb
= 3 v, 我
e?
= 0, f = 1 mhz pf 0.4 0.7
|S
21E
|
2
插入 电源 增益 在 v
ce
= 3 v, 我
c
=10 ma, f = 2 ghz db 7 8.5
nf 噪声 图 在 v
ce
= 3 v, 我
c
= 3 ma, f = 2 ghz db 1.5 2.5
我
CBO
收集器 截止 电流 在 v
cb
= 10 v, 我
e?
= 0 不适用 600
我
EBO
发射器 截止 电流 在 v
eb
= 1 v, 我
c
= 0 不适用 600
h
铁
直流 电流 增益
1
在 v
ce
= 3 v, 我
c
= 7 ma 100 120 145
f
t
增益 带宽 在 v
ce
= 1 v, 我
c
= 15 ma, f = 2 ghz GHz 5.0 6.5
cre 反馈 电容
2
在 v
cb
= 3 v, 我
e?
= 0, f = 1 mhz pf 0.6 0.8
|S
21E
|
2
插入 电源 增益 在 v
ce
= 1 v, 我
c
=5 ma, f = 2 ghz db 3.0 4.0
|S
21
|S
21E
|
2
e?
|
2
插入 电源 增益我在 v
ce
= 1 v, 我
c
=15 ma, f = 2 ghz db 4.5 5.5
nf 噪声 图 在 v
ce
= 1 v, 我
c
= 10 ma, f = 2 ghz db 1.9 2.5
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c)
备注: 1. 脉冲 测量, 脉冲 宽度
≤
350
µ
s, 职责 循环
≤
2 %.
2. 收集器 至 底座 电容 当 已测量 与 电容 仪表 (自动 平衡式 桥梁 方法), 与 发射器 已连接 至
护卫 管脚 的 电容 仪表.
Q1
Q2
• 低 电压, 低 电流 操作
• 小 包装 大纲:
1.2 mm x 0.8 mm
• 低 高度 配置文件:
只是 0.50 mm 高
• 两个 不同的 模具 类型:
q1 - 理想 缓冲区 放大器 晶体管
q2 - 理想 振荡器 晶体管
• 理想 用于 1-2 ghz 振荡器
特点 大纲 尺寸
(单位 入点 mm)
包装 大纲 td
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描述
nec's upa862td 包含 一个 ne851 和 一个 ne685 npn
高 频率 硅 双极性 芯片. 这 ne851 是 一个 优秀
振荡器 芯片, 特色 低 1/f 噪声 和 高 免疫 至
推挤 效果. 这 ne685 是 一个 优秀 缓冲区 晶体管,
特色 低 噪声 和 高 增益. nec's 新建 超 小 td
包装 是 理想 用于 全部 便携式 无线 应用程序 在哪里
减少 板 空间 是 一个 质数 对价. 每个 晶体管
芯片 是 独立 已安装 和 很容易 已配置 用于 oscil-
lator/缓冲区 放大器 和 其他 应用程序.
加利福尼亚 东部的 实验室
vY
C1
Q2
Q1
B2
E2
E1
B1
C2
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0.5±0.05
0.125
+0.1
-0.05
1
2
3
0.4 0.4
0.8
0.15±0.05
4
56
1.0±0.05
0.8
+0.07
-0.05
1
3
4
5
6
2
1.2
+0.07
-0.05
管脚 连接
1. 收集器 (q1)
2. 发射器 (q1)
3. 收集器 (q2)
4. 底座 (q2)
5. 发射器 (q2)
6. 底座 (q1)
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