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测试
VDE
(钢筋 类型)(标准 类型)
1
2
3
6
5
4
gu (概述 使用)-e? 类型
[1-频道 (窗体 b) type]
mm英寸
8.8
±
0.05
.346
±
.002
6.4
±
0.05
.252
±
.002
3.6
±
0.2
.142
±
.008
8.8
±
0.05
.346
±
.002
6.4
±
0.05
.252
±
.002
3.9
±
0.2
.154
±
.008
特点
1. 低 开启 电阻 用于 正常情况下-
已关闭 类型
这个 有 被 已实现 谢谢 至 这 已建成-
入点 场效应晶体管 已处理 由 我们的 专有
方法, dsd (双-扩散 和 se-
lective doping) 方法.
,
,
,
,
来源 电极
n
–
n
+
n
+
n
+
p
+
n
+
n
+
p
+
闸门 电极
钝化 membrane
十字形 截面 的 这 正常情况下-已关闭 类型 的
电源 mos
中间体
insulating
membrane
闸门
oxidation
membrane
排水管
电极
2. 控件 低水平 模拟 信号
photomos 继电器 功能 极其 低
已关闭-电路 偏移量 电压 至 启用
控制 的 低水平 模拟 信号 无
失真.
3. 高 灵敏度, 低 开启 电阻
可以 控制 一个 最大值 0.13 一个 荷载 cur-
租金 与 一个 5 ma 输入 电流. 低 开启 re-
电阻 的 18
Ω
(aqv410eh). 稳定
操作 因为 那里 是 否 metallic
联系人 零件.
4. 低水平 关 州 泄漏 电流
这 ssr 有 一个 关 州 泄漏 电流
的 几个 毫安, 鉴于 这 pho-
tomos 继电器 有 仅 100 pa 甚至 与
这 额定 荷载 电压 的 400 v
(aqv414e).
5. 钢筋 绝缘 5,000 v 类型
也 可用.
更多 比 0.4 mm 内部 绝缘 dis-
付款 之间 输入 和 产出. con-
表格 至 en41003, en60950 (钢筋
绝缘).
典型 应用程序
• 安全 设备
• telepone 设备 (拨号盘 脉冲)
• 测量 设备
类型
*indicate 这 峰值 交流电 和 直流 数值.
备注: 用于 空间 原因, 这 包装 类型 指示器 "x" 和 "z" 是 省略 从 这 seal.
类型
我/o 隔离
电压
输出 rating*
零件 否.
填料 数量
通过 孔
终端
表面贴装 终端
荷载
电压
荷载
电流
导管 填料 风格
胶带 和 卷轴 填料 风格
导管 胶带 和 卷轴
已采摘 从 这
1/2/3-管脚 侧面
已采摘 从 这
4/5/6-管脚 侧面
交流电/直流
类型
1,500 v 交流电
(标准)
400 v 120 ma AQV414E AQV414EA AQV414EAX AQV414EAZ
1 导管 包含
50 pcs.
1 批次 包含
500 pcs.
1,000 pcs.
5,000 v 交流电
(钢筋)
350 v 130 ma AQV410EH AQV410EHA AQV410EHAX AQV410EHAZ
400 v 120 ma AQV414EH AQV414EHA AQV414EHAX AQV414EHAZ
评级
1. 绝对 最大值 额定值 (环境 温度: 25
°
c77
°
f)
项目 符号
类型 的
连接
aqv414e(一个) aqv410eh(一个) aqv414eh(一个) Remarks
输入
led指示灯 前进 电流 我
f
50 ma
led指示灯 反向 电压 v
右
3 v
峰值 forwrd 电流 我
fp
1 一个 f = 100 赫兹, 职责 因素 = 0.1%
电源 耗散 p
入点
75 mw
输出
荷载 电压 (峰值 交流电) v
l
400 v 350 v 400 v
连续 荷载 电流 我
l
一个 0.12 一个 0.13 一个 0.12 一个
一个 连接: 峰值 交流电, 直流
b,c 连接: 直流
B 0.13 一个 0.15 一个 0.13 一个
c 0.15 一个 0.17 一个 0.15 一个
峰值 荷载 电流 我
峰值
0.3 一个 0.4 一个 0.3 一个
一个 连接: 100 ms (1 已拍摄),
v
l
= 直流
电源 耗散 p
出点
500 mw
合计 电源 耗散 p
t
550 mw
我/o 隔离 电压 v
iso
1,500 v 交流电 5,000 v 交流电 5,000 v 交流电
温度
限制
操作 t
opr
–40
°
c 至 +85
°
c–40
°
f 至 +185
°
f
非冷凝 在 低
温度
存储 t
stg
–40
°
c 至 +100
°
c–40
°
f 至 +212
°
f
PhotoMOS
继电器