v 2.00
f e? 一个 t u 右 e? s
单独 正 电压 控制 0 至 +5 vo l t s
30 db 电压 变量 衰减
±2 db 线性度 从 bsl
低 直流 电源 消费
te? m p e? 右 一个 t u 右e? 范围: -40°c 至 +85°c
低成本 soic 8 塑料 包装
胶带 和 卷轴 包装 一个v 一个 我 l 一个 b l e?
快 开关 速度
d e? s c 右 我 p t 我 o n
m/一个-com’s 在-110 是 一个 线性 gaas mmic 电压
变量 absorptive 衰减器 入点 一个 低成本 soic
8-铅 表面 安装 塑料 包装. 这 在-110 有
一个 更快 开关 速度 比 这 在-108 或 在- 1 0 9 .
这 在-110 是 理想情况下 适合 用于 使用 在哪里 线性
衰减 好 调谐 和 很 低 电源 com-
消费 是 右e? q u 我 右ed. 典型应用程序包括
右 一个 d 我 o ,
c e? l l u l 一个 右,gps 设备 和 自动 增益/水平
c o n t 右ol circ u 我 t s .
这 在-110 是 预制 与 一个 单片 gaas
mmic 使用 一个 成熟 1-微米 流程. 这 公共关系o c e? s s
f e? 一个 t u 右es 已满 芯片 钝化 用于 增加 按f o 右-
mance 和 右e? l 我 一个 b 我 l 我 t y .
零件 号码 包装
在-110 soic 8-铅 塑料 包装
在-110tr 前进 胶带 &放大器; reel*
在-110rtr 反向 胶带 &放大器; reel*
参数 测试一下 条件 单位 最小值 典型值 最大值
插入 损失 0.5 - 1.0 ghz db 2.8 3.0
1.0 - 2.0 ghz db 3.3 3.6
衰减 0.5 - 16 ghz db 30
1.0 - 26 ghz db 25
平整度 0.5 - 1.0 ghz db ±0.5 ±0.8
(峰值-至-峰值) 1.0 - 2.0 ghz db ±1.2 ±1.5
VSWR 2:1
trise, Tfall 10% 至 90% rf, 90% 至 10% rf µs 0.2
吨, toff 50% 控制 至 90% rf, 控制 至 10% rf µs 0.2
瞬变 带内 mv 70
1. 全部 测量 在 1 ghz 入点 一个 50-
Ω
系统, 除非 否则 指定.这 rf 端口 必须 是 区块ked 外 的 这 包装
从 接地 或 任何 其他 电压.
电压 变量 absorptive 衰减器, 30 db
0.5 - 2 ghz 在-110
典型 电气 规格
1
, t
一个
= +25°c
所以-8
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订购 信息
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如果 具体 卷轴 尺寸 是 必填项, 咨询 工厂 用于 零件 号码
分配.
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