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特性
•
单独的 2.7v - 3.6v 供应
•
串行 附带的 接口 (spi) 兼容
•
页 程序 运作
– 单独的 循环 Reprogram (擦掉 和 程序)
– 1024 页 (264 字节/页) 主要的 记忆
•
支持 页 和 块 擦掉 行动
•
二 264-字节 SRAM 数据 缓存区 – 准许 接到 的 数据
当 Reprogramming 的 Nonvolatile 记忆
•
持续的 读 能力 通过 全部 排列
– 完美的 为 代号 Shadowing 产品
•
低 电源 消耗
– 4 毫安 起作用的 读 电流 典型
– 2 µA CMOS 备用物品 电流 典型
•
20 MHz 最大值 时钟 频率
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硬件 数据 保护 特性
•
100% 兼容 至 AT45DB021 和 AT45DB021A
•
5.0v-tolerant 输入: si, sck, CS, 重置 和 WP 管脚
•
商业的 和 工业的 温度 范围
描述
这 AT45DB021B 是 一个 2.7-volt 仅有的, 串行 接口 Flash 记忆 ideally suited 为
一个 宽 多样性 的 数字的 voice-, image-, 程序 代号- 和 数据-存储 产品.
它的 2,162,688 位 的 记忆 是 有组织的 作 1024 页 的 264 字节 各自. 在 addi-
tion 至 这 主要的 记忆, 这 AT45DB021B 也 包含 二 SRAM 数据 缓存区
的 264 字节 各自. 这 缓存区 准许 接到 的 数据 当 一个 页 在 这 主要的 mem-
ory 是 正在 reprogrammed, 作 好 作 读 或者 writing 一个 持续的 数据 stream.
2-megabit
2.7-volt 仅有的
DataFlash
®
AT45DB021B
管脚 配置
管脚 名字 函数
CS
碎片 选择
SCK 串行 时钟
SI 串行 输入
所以 串行 输出
WP
硬件 页 写
保护 管脚
重置
碎片 重置
rdy/busy
准备好/busy
CBGA 顶 视图
通过 包装
一个
B
C
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VCC
WP
重置
地
rdy/bsy
SI
SCK
CS
所以
TSOP 顶 视图
Ty p e 1
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rdy/busy
重置
WP
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VCC
地
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
所以
NC
NC
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NC
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28-soic
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地
NC
NC
CS
SCK
SI
所以
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NC
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NC
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NC
NC
VCC
NC
NC
WP
重置
rdy/busy
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
8-soic
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SI
SCK
重置
CS
所以
地
VCC
WP
rev. 1937F
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DFLSH
–
10/02
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