AZ100LVEL16VR
ecl/pecl 振荡器 增益 平台&放大; 缓存区 和 可选择的 使能
1630 s. stapley dr., suite 125
•
mesa, arizona 85204
•
USA
•
(480) 962-5881
•
传真 (480) 890-2541
www.azmicrotek.com
arizona microtek, 公司
特性
•
高 带宽 为
≥
1GHz
•
类似的 运作 作 az100el16vo
•
运行 范围 的 3.0v 至 5.5v
•
降低 外部 组件
•
可选择的 使能 极性 和 门槛
(cmos/ttl 或者 pecl)
•
有 在 一个 3x3mm mlp 包装
描述
这 az100lvel16vr 是 一个 specialized 振荡器 增益 平台和 高 增益 输出 缓存区 包含 一个 使能.
这 q
HG
/q¯
HG
输出 有 一个 电压 增益 一些 时间 更好 比 这 q/q¯输出.
这 az100lvel16vr 提供 一个 可选择的 使能 那 准许 持续的 振荡器 运作. 看 真实 表格
在下 为 使能 函数. 如果 使能 拉-向上 是 desired 在 这 cmos 模式, 一个 外部
≤
20k
Ω
电阻 连接
en 至 v
CC
将 override 这 在-碎片 拉-向下 电阻. 这 az100lvel16vr 也 提供 一个 v
BB
和 470
Ω
内部的 偏差 电阻器 从 d 至 v
BB
和 d¯ 至 v
BB
. 这 v
BB
管脚 能 支持 1.5ma 下沉/源 电流. bypassing
V
BB
至 地面 和 一个 0.01
µ
f 电容 是 推荐.
输出 q/q¯各自 有 一个 可选择的 在-碎片 拉-向下 电流 所以urce. 看 真实 表格 在下 为 电流 源
功能. 外部 电阻器 将 也 是 使用 至 增加 拉-向下 电流 至 一个 最大 总的 的 25ma.
输出 q
HG
/q¯
HG
各自 有 一个 optional 在-碎片 拉-向下 current 源 的 10ma. 当 垫子/管脚 v
EEP
是 left
打开 (nc), 这 输出 电流 来源 是 无能 和 这 q
HG
/q¯
HG
运作 作 标准 pecl/ecl. 当 v
EEP
是
连接 至 v
EE
, 这 电流 来源 是 使活动. 这 q
HG
/q¯
HG
拉-向下 电流 能 是 decreased, 用 使用 一个
电阻 至 连接 从 v
EEP
至 v
EE
.
便条: 规格 在 这 ecl/pecl tables 是 有效的 当 热的 equilibrium 是 established.
包装 有效性
包装 部分 非. 标记
mlp 16 AZ100LVEL16VRL AZM16R
mlp 16 t&放大;r AZ100LVEL16VRLR1 AZM16R
mlp 16 t&放大;r AZ100LVEL16VRLR2 AZM16R
消逝 az100lvel16vrx n/一个
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