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资料编号:160498
 
资料名称:BAS16WT1
 
文件大小: 98.09K
   
说明
 
介绍:
Silicon Switching Diode
 
 


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1
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2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
开关 二极管
最大值 额定值
(t
一个
= 25
°
c)
评级
符号 最大值 单位
连续 反向 电压 v
75 v
recurrent 峰值 前进 电流
200 ma
峰值 前进 浪涌 电流
脉冲 宽度 = 10
µ
s
调频(浪涌)
500 ma
合计 电源 耗散, 一个 二极管 已加载
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
已安装 开启 一个 陶瓷 基材
(10 x 8 x 0.6 mm)
p
d
200
1.6
mW
mw/
°
c
操作 和 存储 接合点
温度 范围
t
j
, t
stg
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 环境
一个 二极管 已加载
已安装 开启 一个 陶瓷 基材
(10 x 8 x 0.6 mm)
θ
ja
0.625
°
c/mw
设备 标记
A6
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 最大值 单位
前进 电压
(我
f
= 1.0 ma)
(我
f
= 10 ma)
(我
f
= 50 ma)
(我
f
= 150 ma)
v
f
715
866
1000
1250
mv
反向 电流
(v
= 75 v)
(v
= 75 v, t
j
= 150
°
c)
(v
= 25 v, t
j
= 150
°
c)
1.0
50
30
µ
一个
电容
(v
= 0, f = 1.0 mhz)
c
d
2.0 pf
反向 回收 时间
(我
f
= 我
= 10 ma, 右
l
= 50
) (图 1)
t
rr
6.0 ns
已存储 费用
(我
f
= 10 ma 至 v
= 6.0 v, 右
l
= 500
) (图 2)
QS 45 pc
前进 回收 电压
(我
f
= 10 ma, t
= 20 ns) (图 3)
v
右前
1.75 v
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 bas16wt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
BAS16WT1
摩托罗拉 首选 设备
案例 419–02, 风格 2
sc–70/sot–323
1
2
3
摩托罗拉, 公司 1997
3
阴极
1
阳极
rev 1
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