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3月-10-2004
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bas116...
硅 低 泄漏 二极管
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低泄漏 应用程序
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中 速度 开关 次
BAS116

 
类型 包装 配置 标记
BAS116 SOT23 单独 JVs
最大值 额定值
在
t
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数 符号 值 单位
二极管 反向 电压
v
右
80 v
峰值 反向 电压
v
rm
85
前进 电流
我
f
250 ma
非重复性 峰值 浪涌 前进 电流
t
= 1 µs
t
= 1 s
我
FSM
4.5
0.5
一个
合计 电源 耗散
t
s
≤
54°C
p
tot
370 mW
接合点 温度
t
j
150 °C
存储 温度
t
stg
-65 ... 150
热 电阻
参数 符号 值 单位
接合点 - 焊接 点
1)
BAS116
右
thJS
≤
260
k/w
1
用于 计算 的
右
thja
请 参考 至 应用程序 备注 热 电阻

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3月-10-2004 1 bas116... 硅低泄漏二极管 • 低泄漏应用程序 • 中速度开关次 BAS116    类型包装配置标记 BAS116 SOT23 单独 JVs 最大值额定值在 t 一个 = 25°c, 除非否则指定参数符号值单位二极管反向电压 v 右 80 v 峰值反向电压 v rm 85 前进电流我 f 250 ma 非重复性峰值浪涌前进电流 t = 1 µs t = 1 s 我 FSM 4.5 0.5 一个合计电源耗散 t s ≤ 54°C p tot 370 mW 接合点温度 t j 150 °C 存储温度 t stg -65 ... 150 热电阻参数符号值单位接合点 - 焊接点 1) BAS116 右 thJS ≤ 260 k/w 1 用于计算的右 thja 请参考至应用程序备注热电阻

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