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jan-30-2003
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bas21...
硅 开关 二极管
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用于 高速 开关 应用程序
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高 击穿 电压
bas21ubas21-03wbas21
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类型 包装 配置 标记
BAS21
BAS21U
bas21-03w
SOT23
SC74
SOD323
单独
平行 三倍
单独
JSs
JSs
d
最大值 额定值
在
t
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
符号 值 单位
二极管 反向 电压
v
右
200 v
峰值 反向 电压
v
rm
250
前进 电流
我
f
250 ma
峰值 前进 电流
我
调频
625
浪涌 前进 电流,
t
= 10 µs
我
fs
4 一个
合计 电源 耗散
bas21,
t
s

70°C
bas21-03w,
t
s

124°C
bas21u,
t
s

122°C
p
tot
350
250
250
mW
接合点 温度
t
j
150 °C
存储 温度
t
stg
-65 ... 150

标　题:
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jan-30-2003 1 bas21... 硅开关二极管  用于高速开关应用程序  高击穿电压 bas21ubas21-03wbas21            类型包装配置标记 BAS21 BAS21U bas21-03w SOT23 SC74 SOD323 单独平行三倍单独 JSs JSs d 最大值额定值在 t 一个 = 25°c, 除非否则指定参数符号值单位二极管反向电压 v 右 200 v 峰值反向电压 v rm 250 前进电流我 f 250 ma 峰值前进电流我调频 625 浪涌前进电流, t = 10 µs 我 fs 4 一个合计电源耗散 bas21, t s  70°C bas21-03w, t s  124°C bas21u, t s  122°C p tot 350 250 250 mW 接合点温度 t j 150 °C 存储温度 t stg -65 ... 150

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