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资料编号:162367
 
资料名称:BC307C
 
文件大小: 69.33K
   
说明
 
介绍:
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
 
 


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©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, 8月 2002
bc307/308/309
pnp 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
°
c 除非 否则 已注明
符号 参数 单位
v
消费电子展
集电极-发射极 电压
: bc307
: bc308/309
-50
-30
v
v
v
CEO
集电极-发射极 电压
: bc307
: bc308/309
-45
-25
v
v
v
EBO
c
收集器 电流 (直流) -100 ma
p
c
收集器 电源 耗散 500 mW
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 -55 ~ 150
°
c
bc307/308/309
开关 和 放大器 应用程序
低 噪声: bc309
1. 收集器 2. 底座 3. 发射器
至-92
1
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