©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, 8月 2002
bc546/547/548/549/550
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 : bc546
: bc547/550
: bc548/549
80
50
30
V
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压 : bc546
: bc547/550
: bc548/549
65
45
30
V
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 : bc546/547
: bc548/549/550
6
5
V
V
I
C
集电级 电流 (直流) 100 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 500 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=30v, i
E
=0 15 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=5v, i
C
=2mA 110 800
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=10ma, i
B
=0.5ma
I
C
=100ma, i
B
=5mA
90
200
250
600
mV
mV
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
=10ma, i
B
=0.5ma
I
C
=100ma, i
B
=5mA
700
900
mV
mV
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
=5v, i
C
=2mA
V
CE
=5v, i
C
=10mA
580 660 700
720
mV
mV
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
=5v, i
C
=10ma, f=100mhz 300 MHz
C
ob
输出 电容 V
CB
=10v, i
E
=0, f=1mhz 3.5 6 pF
C
ib
输入 电容 V
EB
=0.5v, i
C
=0, f=1mhz 9 pF
NF 噪音 图示 : bc546/547/548
: bc549/550
: bc549
: bc550
V
CE
=5v, i
C
=200
µ
一个
f=1khz, r
G
=2K
Ω
V
CE
=5v, i
C
=200
µ
一个
R
G
=2K
Ω
, f=30~15000mhz
2
1.2
1.4
1.4
10
4
4
3
dB
dB
dB
dB
分类 一个 B C
h
FE
110 ~ 220 200 ~ 450 420 ~ 800
bc546/547/548/549/550
切换 和 产品
• 高 电压: bc546, v
CEO
=65V
• 低 噪音: bc549, bc550
• complement 至 bc556 ... bc560
1. 集电级 2. 根基 3. 发射级
至-92
1
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