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
半导体 组件 行业, llc, 2001
六月, 2000 – rev. 1
1
出版物 订单 号码:
bc636/d
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
pnp 硅
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
集电极-发射极 电压
BC636
BC638
BC640
v
CEO
–45
–60
–80
Vdc
收集器-底座 电压
BC636
BC638
BC640
v
CBO
–45
–60
–80
Vdc
发射器-底座 电压 v
EBO
–5.0 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
–0.5 adc
合计 设备 耗散
@ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
625
5.0
mW
mw/
°
c
合计 设备 耗散
@ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
1.5
12
瓦特
mw/
°
c
操作 和 存储 接合点
温度 范围
t
j
, t
stg
–55 至
+150
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻,
接合点 至 环境
右
θ
ja
200
°
c/w
热 电阻,
接合点 至 案例
右
θ
jc
83.3
°
c/w
设备 包装 装运
订购 信息
BC636 TO–92
http://onsemi.com
案例 29
TO–92
风格 14
5000 单位/框
3
2
1
BC636ZL1 TO–92 2000/弹药 空调组件






BC636–16ZL1 TO–92 2000/弹药 空调组件
BC638 TO–92 5000 单位/框
BC638ZL1 TO–92 2000/弹药 空调组件
BC640 TO–92 5000 单位/框
BC640ZL1 TO–92 2000/弹药 空调组件
BC640–16 TO–92 5000 单位/框

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 半导体组件行业, llc, 2001 六月, 2000 – rev. 1 1 出版物订单号码: bc636/d    pnp 硅最大值额定值评级符号值单位集电极-发射极电压 BC636 BC638 BC640 v CEO –45 –60 –80 Vdc 收集器-底座电压 BC636 BC638 BC640 v CBO –45 –60 –80 Vdc 发射器-底座电压 v EBO –5.0 Vdc 收集器电流 — 连续我 c –0.5 adc 合计设备耗散 @ t 一个 = 25 ° c 降额以上 25 ° c p d 625 5.0 mW mw/ ° c 合计设备耗散 @ t c = 25 ° c 降额以上 25 ° c p d 1.5 12 瓦特 mw/ ° c 操作和存储接合点温度范围 t j , t stg –55 至 +150 ° c 热特性特性符号最大值单位热电阻, 接合点至环境右 θ ja 200 ° c/w 热电阻, 接合点至案例右 θ jc 83.3 ° c/w 设备包装装运订购信息 BC636 TO–92 http://onsemi.com 案例 29 TO–92 风格 14 5000 单位/框 3 2 1 BC636ZL1 TO–92 2000/弹药空调组件       BC636–16ZL1 TO–92 2000/弹药空调组件 BC638 TO–92 5000 单位/框 BC638ZL1 TO–92 2000/弹药空调组件 BC640 TO–92 5000 单位/框 BC640ZL1 TO–92 2000/弹药空调组件 BC640–16 TO–92 5000 单位/框

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