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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
Darlington 晶体管
npn 硅
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
收集器–发射器 电压 v
CEO
55 Vdc
收集器–底座 电压 v
CBO
80 Vdc
发射器–底座 电压 v
EBO
12 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
1.0 adc
合计 设备 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
625
5.0
mW
mw/
°
c
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
1.5
12
瓦特
mw/
°
c
操作 和 存储 接合点
温度 范围
t
j
, t
stg
–55 至 +150
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至
环境
右
q
ja
200
°
c/w
热 电阻, 接合点 至 案例
右
q
jc
83.3
°
c/w
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
收集器–发射器 击穿 电压
(我
c
= 10 madc, v
是
= 0)
v
(br)ceo
55 — — Vdc
收集器–底座 击穿 电压
(我
c
= 100
m
adc, 我
e?
= 0)
v
(br)cbo
80 — — Vdc
发射器–底座 击穿 电压
(我
e?
= 10
m
adc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
12 — — Vdc
收集器 截止 电流
(v
ce
= 60 vdc, v
是
= 0)
我
消费电子展
— — 50 nAdc
收集器 截止 电流
(v
cb
= 60 vdc, 我
e?
= 0)
我
CBO
— — 50 nAdc
发射器 截止 电流
(v
eb
= 10 vdc, 我
c
= 0)
我
EBO
— — 50 nAdc
订单 这个 文件
由 bc618/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
BC618
案例 29–04, 风格 17
to–92 (to–226aa)
1
2
3
摩托罗拉, 公司 1996
收集器 1
底座
2
发射器 3
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