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手机版
资料编号:163088
资料名称:
BC817
文件大小: 37.32K
说明
:
介绍
:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
: 点此下载
1
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sot23 npn 硅 平面
中 电源 晶体管
问题 5 – march 2001
✪
partmarking 详细信息
bc81716 –
6AZ
bc81725 –
6BZ
bc81740 –
6CZ
互补 类型
–
BC807
绝对 最大值 额定值.
参数
符号
值
单位
收集器-底座 电压
v
CBO
50
v
集电极-发射极 电压
v
CEO
45
v
发射器-底座 电压
v
EBO
5V
峰值 脉冲 电流
我
厘米
1A
连续 收集器 电流
我
c
500
ma
底座 电流
我
B
100
ma
峰值 底座 电流
我
BM
200
ma
电源 耗散 在 t
amb
=25°C
p
tot
330
mW
操作 和 存储 温度 范围
t
j
:t
stg
-55 至 +150
°C
电气 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 声明).
参数
符号
最小值
典型值
最大值
单位
条件.
收集器 截止
电流
我
CBO
0.1
5
µ
一个
µ
一个
v
cb
=20v, 我
e?
=0
v
cb
=20v, 我
e?
=0, t
amb
=150°C
发射器 截止 电流
我
EBO
10
µ
一个
v
eb
=5v, 我
c
=0
集电极-发射极
饱和度 电压
v
ce(sat)
700
mv
我
c
=500ma, 我
B
=50mA*
基极-发射极
饱和度 电压
v
是(开启)
1.2
v
我
c
=500ma, v
ce
=1V*
静态 前进 电流
转让 比率
h
铁
BC81716
100
250
我
c
=100ma, v
ce
=1V*
BC81725
160
400
我
c
=100ma, v
ce
=1V*
BC81740
250
600
我
c
=100ma, v
ce
=1V*
全部 乐队
40
我
c
=500ma, v
ce
=1V*
过渡 频率
f
t
200
MHz
我
c
=10ma, v
ce
=5V
f=35MHz
输出 电容
c
obo
5.0
pf
v
cb
=10v, f=1mhz
*measured 下 脉冲 条件.
BC817
c
B
e?
SOT23
TBA
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