BC817U_集成电路资料查询网

BC817U
十一月-29-20011
npn 硅 晶体管 阵列

用于 af 输入 阶段 和 驾驶员 应用程序

高 电流 增益

低 集电极-发射极 饱和度 电压

两个 ( 原电池) 内部 隔离 晶体管
与 不错 匹配 入点 一个 包装
VPW09197
1
2
3
4
5
6
EHA07178
6 54
321
C1 B2 E2
C2B1E1
TR1
TR2
类型 标记 管脚 配置 包装
BC817U 6Bs 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1
SC74
最大值 额定值
参数
符号 值 单位
集电极-发射极 电压
v
CEO
45 v
收集器-底座 电压
v
CBO
50
发射器-底座 电压
v
EBO
5
直流 收集器 电流
我
c
500 ma
峰值 收集器 电流
我
厘米
1 一个
底座 电流
我
B
100 ma
峰值 底座 电流
我
BM
200
合计 电源 耗散
,
t
s
= 115 °c
p
tot
330 mW
接合点 温度
t
j
150 °C
存储 温度
t
stg
-65 ... 150
热 电阻
接合点 - 焊接 点
1)
右
thJS

105 k/w
1
用于 计算 的
右
thja
请 参考 至 应用程序 备注 热 电阻

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BC817U 十一月-29-20011 npn 硅晶体管阵列  用于 af 输入阶段和驾驶员应用程序  高电流增益  低集电极-发射极饱和度电压  两个 ( 原电池) 内部隔离晶体管与不错匹配入点一个包装 VPW09197 1 2 3 4 5 6 EHA07178 6 54 321 C1 B2 E2 C2B1E1 TR1 TR2 类型标记管脚配置包装 BC817U 6Bs 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74 最大值额定值参数符号值单位集电极-发射极电压 v CEO 45 v 收集器-底座电压 v CBO 50 发射器-底座电压 v EBO 5 直流收集器电流我 c 500 ma 峰值收集器电流我厘米 1 一个底座电流我 B 100 ma 峰值底座电流我 BM 200 合计电源耗散 , t s = 115 °c p tot 330 mW 接合点温度 t j 150 °C 存储温度 t stg -65 ... 150 热电阻接合点 - 焊接点 1) 右 thJS  105 k/w 1 用于计算的右 thja 请参考至应用程序备注热电阻

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