©2002 仙童 半导体 公司 rev. b, 九月 2002
bd676a/678a/680a/682
pnp 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c 除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: pw=300
µ
s, 职责 循环=1.5% 脉冲
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 : bd676a
: bd678a
: bd680a
: bd682
- 45
- 60
- 80
- 100
v
v
v
v
v
CEO
集电极-发射极 电压 : bd676a
: bd678a
: bd680a
: bd682
- 45
- 60
- 80
- 100
v
v
v
v
v
EBO
发射器-底座 电压 - 5 v
我
c
收集器 电流 (直流) - 4 一个
我
cp
*collector 电流 (脉冲) - 6 一个
我
B
底座 电流 - 100 ma
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 14 w
右
θ
ja
热 电阻 (接合点 至 环境) 88
°
c/w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 65 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
v
CEO
(sus) 集电极-发射极 维持 电压
: bd676a
: bd678a
: bd680a
: bd682
我
c
= - 50ma, 我
B
= 0 - 45
- 60
- 80
- 100
我
CBO
收集器-底座 电压 : bd676a
: bd678a
: bd680a
: bd682
v
cb
= - 45v, 我
e?
= 0
v
cb
= - 60v, 我
e?
= 0
v
cb
= - 80v, 我
e?
= 0
v
cb
= - 100v, v
是
= 0
- 200
- 200
- 200
- 200
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
我
CEO
收集器 截止 电流 : bd676a
: bd678a
: bd680a
: bd682
v
ce
= - 45v, v
是
= 0
v
ce
= - 60v, v
是
= 0
v
ce
= - 80v, v
是
= 0
v
ce
= - 100v, v
是
= 0
- 500
- 500
- 500
- 500
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= - 5v, 我
c
= 0 - 2 ma
h
铁
* 直流 电流 增益 : bd676a/678a/680a
: bd682
v
ce
= - 3v, 我
c
= - 2a
v
ce
= - 3v, 我
c
= - 1.5a
750
750
v
ce
(sat) * 集电极-发射极 饱和度 电压
: bd676a/678a/680a
: bd682
我
c
= - 2a, 我
B
= - 40ma
我
c
= - 1.5a, 我
B
= - 30ma
- 2.8
- 2.5
v
v
v
是
(开启) * 基极-发射极 开启 电压 : bd676a/678a/680a
: bd682
v
ce
= - 3v, 我
c
= - 2a
v
ce
= - 3v, 我
c
= - 1.5a
- 2.5
- 2.5
v
v
bd676a/678a/680a/682
中 电源 线性 和 开关
应用程序
• 中 电源 darlington tr
• 补码 至 bd675a, bd677a, bd679a 和 bd681 分别
1
至-126
1. 发射器 2.收集器 3.底座
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