半导体 组件 行业, llc, 2005
二月, 2005 − rev. 5
1
出版物 订单 号码:
mc14070b/d
mc14070b, mc14077b
cmos ssi
四边形 独占 “or” 和 “nor” 盖茨
这 mc14070b 四边形 独占 或 闸门 和 这 mc14077b 四边形
独占 也没有 闸门 是 已构造 与 mos p−channel 和
n−channel 增强功能 模式 设备 入点 一个 单独 单片
结构. 这些 互补 mos 逻辑 盖茨 查找 主要 使用
在哪里 低 电源 耗散 和/或 高 噪声 免疫 是 需要.
特点
•
供应 电压 范围 = 3.0 vdc 至 18 vdc
•
全部 产出 缓冲
•
有能力 的 驾驶 两个 low−power ttl 荷载 或 一个 low−power
肖特基 ttl 荷载 结束 这 额定 温度 范围
•
双 二极管 保护 开启 全部 输入
•
mc14070b − 更换 用于 cd4030b 和 cd4070b 类型
•
mc14077b − 更换 用于 cd4077b 类型
•
pb−free 软件包 是 available*
最大值 额定值
(电压 引用 至 v
ss
)
符号 参数 值 单位
v
dd
直流 供应 电压 范围 −0.5 至 +18.0 v
v
入点
, v
出点
输入 或 输出 电压 范围
(直流 或 瞬态)
−0.5 至 v
dd
+ 0.5 v
我
入点
, 我
出点
输入 或 输出 电流
(直流 或 瞬态) 按 管脚
±
10 ma
p
d
电源 耗散, 按 包装
(备注 1)
500 mW
t
一个
环境 温度 范围 −55 至 +125
°
c
t
stg
存储 温度 范围 −65 至 +150
°
c
t
l
铅 温度
(8−second 焊接)
260
°
c
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生 和
可靠性 将 是 受影响.
1. 温度 降额:
塑料 “p 和 d/dw” 软件包: – 7.0 mw/
c 从 65
c 至 125
c
这个 设备 包含 保护 电路 至 护卫 反对 损伤到期 至 高
静态 电压 或 电动 字段. 然而, 注意事项 必须 是 已拍摄 至 避免
应用程序 的 任何 电压 较高 比 最大值 额定 电压 至 这个
高-阻抗电路. 用于 适当的 操作, v
入点
和 v
出点
应该 是 受约束
至 这 范围 v
ss
(v
入点
或 v
出点
)
v
dd
.
未使用 输入 必须 总是 是 系紧 至 一个 适当的 逻辑 电压 水平
(e?.g., 要么 v
ss
或 v
dd
). 未使用 产出 必须 是 左 打开.
*For附加 信息 开启 我们的 pb−free 战略 和 焊接 详细信息, 请
下载 这 开启 半导体 焊接 和 安装 技术
参考 手册, solderrm/d.
http://onsemi.com
标记
图表
1
14
PDIP−14
p 后缀
案例 646
MC140xxBCP
AWLYYWW
SOIC−14
d 后缀
案例 751a
1
14
140xxB
AWLYWW
xx = 具体 设备 代码
一个 = 总成 位置
水线, l = 晶圆 批号
yy, y = 年份
ww, w = 工作 周
SOEIAJ−14
f 后缀
案例 965
1
14
MC140xxB
AWLYWW
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸 截面 开启 第页 3 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
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