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资料编号:166858
 
资料名称:BDW93C
 
文件大小: 80.06K
   
说明
 
介绍:
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
 
 


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©2000 仙童 半导体 国际 rev. 一个, 二月 2000
bdw93/一个/b/c
npn 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
热 特性
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
符号 参数 单位
v
CBO
收集器-底座 电压
: bdw93
: bdw93a
: bdw93b
: bdw93c
100
v
v
v
v
v
CEO
集电极-发射极 电压
: bdw93
: bdw93a
: bdw93b
: bdw93c
100
v
v
v
v
c
收集器 电流 (直流) 12 一个
cp
*collector 电流 (脉冲) 15 一个
B
底座 电流 0.2 一个
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 80 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 65 ~ 150
°
c
符号 参数 单位
θ
jc
热 电阻 接合点 至 案例 1.5
°
c/w
bdw93/一个/b/c
hammer 驱动程序,
音频 放大器 应用程序
电源 darlington tr
补码 至 bdw94, bdw94a, bdw94b 和 bdw94c 分别
1.底座 2.收集器 3.发射器
1
至-220
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