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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
JFET vhf/uhf 放大器 晶体管
N–Channel
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
drain–source 电压 v
ds
25 Vdc
gate–source 电压 v
gs
25 Vdc
闸门 电流 我
g
10 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 fr– 5 板
(1)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
225
1.8
mW
mw/
°
c
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
556
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
–55 至 +150
°
c
设备 标记
mmbfj309lt1 = 6u; mmbfj310lt1 = 6t
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性 符号 最小 Typ 最大值 单位
关 特性
gate–source 击穿 电压 (我
g
= –1.0
µ
adc, v
ds
= 0) v
(br)gss
–25 — — Vdc
闸门 反向 电流 (v
gs
= –15 vdc)
闸门 反向 电流(v
gs
= –15 vdc, t
一个
= 125
°
c)
我
GSS
—
—
—
—
–1.0
–1.0
nAdc
µ
adc
闸门 来源 截止 电压 MMBFJ309
(v
ds
= 10 vdc, 我
d
= 1.0 nadc) MMBFJ310
v
gs(关)
–1.0
–2.0
—
—
–4.0
–6.5
Vdc
开启 特性
zero–gate–voltage 排水管 电流 MMBFJ309
(v
ds
= 10 vdc, v
gs
= 0) MMBFJ310
我
DSS
12
24
—
—
30
60
mAdc
gate–source 前进 电压 (我
g
= 1.0 madc, v
ds
= 0) v
gs(f)
— — 1.0 Vdc
small–signal 特性
前进 转让 admittance (v
ds
= 10 vdc, 我
d
= 10 madc, f = 1.0 khz) |Y
fs
| 8.0 — 18 mmhos
输出 admittance (v
ds
= 10 vdc, 我
d
= 10 madc, f = 1.0 khz) |y
操作系统
| — — 250
µ
mhos
输入 电容 (v
gs
= –10 vdc, v
ds
= 0 vdc, f = 1.0 mhz) c
国际空间站
— — 5.0 pf
反向 转让 电容 (v
gs
= –10 vdc, v
ds
= 0 vdc, f = 1.0 mhz) c
rss
— — 2.5 pf
等效 短路 输入 噪声 电压
(v
ds
= 10 vdc, 我
d
= 10 madc, f = 100 赫兹)
e?
n
— 10 —
nv
ń
赫兹
Ǹ
1. FR–5 = 1.0
0.75
0.062 入点.
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
订单 这个 文件
由 mmbfj309lt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MMBFJ309LT1
MMBFJ310LT1
1
2
3
案例 318 –08, 风格 10
SOT–23 (至–236ab)
摩托罗拉, 公司 1997
2 来源
3
闸门
1 排水管
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