sot23 npn 硅 planar
vhf/uhf 晶体管
公布 4 – march 2001
partmarking 详细信息
bfq31a – S4
bfq31ar – s5
绝对 最大 比率.
参数 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
30 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
15 V
发射级-根基 电压 V
EBO
3V
持续的 集电级 电流 I
C
100 毫安
根基 电流 I
B
50 毫安
电源 消耗 在 t
amb
=25°C P
tot
330 mW
运行 和 存储 温度 范围 T
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c).
参数 标识 BFQ31A 单位 情况.
最小值 最大值
集电级-根基
损坏 电压
V
(br)cbo
30 V
I
C
=1.0
µ
一个, i
E
=0
集电级-发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
15 V I
C
=3ma, i
B
=0*
发射级-根基
损坏 电压
V
(br)ebo
3V
I
E
=10
µ
一个, i
C
=0
集电级 截-止
电流
I
CBO
0.01
µ
一个
V
CB
=15v, i
E
=0
集电级-发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
0.4 V I
C
=10ma, i
B
=1mA
根基-发射级
饱和 电压
V
是(sat)
1.0 V I
C
=10ma, i
B
=1mA
静态的 向前 电流
转移 比率
h
FE
100 I
C
=3ma, v
CE
=1V
转变
频率
f
T
600 MHz I
C
=4ma, v
CE
=10V
f=100MHz
输出 电容 C
obo
1.7 pF V
CB
=10v, f=1mhz
输入 电容 C
ibo
2.0 pF V
CB
=0.5v, f=1mhz
噪音 图示 N 6.0 dB I
C
=1ma, v
CE
=6V
R
s
=400
Ω
, f=60mhz
*measured 下面 搏动 情况.
额外的刺激 参数 数据 是 有 在之上 要求 为 这个 设备
BFQ31A
C
B
E
TBA
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