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资料编号:170501
 
资料名称:BFS17S
 
文件大小: 55.83K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BFS17S
8月-20-20011
npn 硅 rf 晶体管
用于 宽带 放大器 向上 至 1 ghz 在 收集器
电流 从 1 ma 至 20 ma
VPS05604
6
3
1
5
4
2
EHA07196
6 54
321
C1 E2 B2
C2E1B1
TR1
TR2
类型 标记 管脚 配置 包装
BFS17S MCs 1=B1 2=E1 3=C2 4=B2 5=E2 6=C1
SOT363
最大值 额定值
参数
符号 单位
集电极-发射极 电压
v
CEO
15 v
收集器-底座 电压
v
CBO
25
发射器-底座 电压
v
EBO
2.5
收集器 电流
c
25 ma
峰值 收集器 电流
,
f
= 10 mhz
厘米
50
合计 电源 耗散
t
s
93 °c
1)
p
tot
280 mW
接合点 温度
t
j
150 °C
环境 温度
t
一个
-65 ... 150
存储 温度
t
stg
-65 ... 150
热 电阻
接合点 - 焊接 点
2)
thJS
240 k/w
1
t
s
是 已测量 开启 这 收集器 铅 在 这 焊接 点 至 这 pcb
2
用于 计算 的
thja
请 参考 至 应用程序 备注 热 电阻
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