飞利浦 半导体 产品 规格
p沟道 增强功能 模式 BSH207
mos 晶体管
特点 符号 快速 参考 数据
• 很 低 阈值 电压
v
ds
= -12 v
• 快 开关
• 逻辑 水平 兼容
我
d
= -1.52 一个
• 超小型 表面 安装
包装
右
ds(开启)
≤
0.15
Ω
(v
gs
= -2.5 v)
v
gs(至)
≥
0.4 v
概述 描述 固定 SOT457
p沟道, 增强功能 模式,
管脚 描述
逻辑 水平, 场效应 电源
晶体管. 这个 设备 有 低 1,2,5,6 排水管
阈值 电压 和 极其
快 开关 制作 它 理想 用于 3 闸门
蓄电池 通电 应用程序 和
高 速度 数字 接口. 4 来源
这 BSH207 是 提供的 入点 这
SOT457 超小型 表面
安装 包装.
限制 数值
限制 数值 入点 符合 与 这 绝对 最大值 系统 (iec 134)
符号 参数 条件 最小值 最大值 单位
v
ds
漏源 电压 - -12 v
v
DGR
漏极-栅极 电压 右
gs
= 20 k
Ω
- -12 v
v
gs
栅极-源极 电压 -
±
8V
我
d
排水管 电流 (直流) t
一个
= 25 ˚c - -1.52 一个
t
一个
= 100 ˚c - -0.96 一个
我
dm
排水管 电流 (脉冲 峰值 值) t
一个
= 25 ˚c - -6.09 一个
p
tot
合计 电源 耗散 t
一个
= 25 ˚c - 0.417 w
t
一个
= 100 ˚c - 0.17 w
t
stg
, t
j
存储 &放大器; 操作 温度 - 55 150 ˚C
热 电阻
符号 参数 条件 典型值 最大值 单位
右
th j-a
热 电阻 接合点 至 fr4 板, 最小值 300 - k/w
环境 占地面积
d
g
s
1
3
5
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4
6
8月 1998 1 rev 1.000
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