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资料编号:180806
 
资料名称:BSS84LT1G
 
文件大小: 67.41K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 130 mA, 50 V
 
 


: 点此下载
 
1
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2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2004
六月, 2004 − rev. 5
1
出版物 订单 号码:
bss84lt1/d
BSS84LT1
电源 场效应晶体管
130 ma, 50 v
p−channel sot−23
这些 微型 表面 安装 mosfets 减少 电源 损失
保存 能源, 制作 这个 设备 理想 用于 使用 入点 小 电源
管理 电路. 典型 应用程序 是 dc−dc 转换器,
荷载 开关, 电源 管理 入点 便携式 和 battery−powered
能源 高效
微型 sot−23 表面 安装 包装 保存 板 空间
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 单位
drain−to−source 电压 v
DSS
50 Vdc
gate−to−source 电压 − 连续 v
gs
±
20 Vdc
排水管 电流
− 连续 @ t
一个
= 25
°
c
− 脉冲 排水管 电流 (t
p
10
s)
d
dm
130
520
ma
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c p
d
225 mW
操作 和 存储 温度
范围
t
j
, t
stg
55 至
150
°
c
热 电阻 − junction−to−ambient
ja
556
°
c/w
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 用于 10 秒
t
l
260
°
c
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生
和 可靠性 将 是 受影响.
3
1
2
P−Channel
130 ma, 50 v 右
ds(开启)
= 10
http://onsemi.com
SOT−23
案例 318
风格 21
PDM
pd = 设备 代码
m = 日期 代码
标记 图表 &放大器; 管脚 分配
3
21
排水管
闸门
2
1
3
来源
设备 包装 装运
订购 信息
BSS84LT1 SOT−23 3000 胶带 &放大器; 卷轴
BSS84LT1G SOT−23
(pb−free)
3000 胶带 &放大器; 卷轴
†for 信息 开启 胶带 和 卷轴 规格,
包括 零件 方向 和 胶带 尺码, 请
参考 至我们的 t猿 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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