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资料编号:183789
 
资料名称:BU2520AX
 
文件大小: 81.17K
   
说明
 
介绍:
Silicon Diffused Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 扩散 电源 晶体管 BU2520AX
概述 描述
新建 世代, 高-电压, 高速 开关 npn 晶体管 入点 一个 塑料 已满-空调组件 信封 预期 用于 使用 入点
水平 挠度 电路 的 大型 屏幕 颜色 电视 接收器 向上 至 32 khz.
快速 参考 数据
符号 参数 条件 典型值 最大值 单位
v
CESM
集电极-发射极 电压 峰值 值 v
= 0 v - 1500 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 (打开 底座) - 800 v
c
收集器 电流 (直流) - 10 一个
厘米
收集器 电流 峰值 值 - 25 一个
p
tot
合计 电源 耗散 t
hs
25 ˚c - 45 w
v
CEsat
集电极-发射极 饱和度 电压
c
= 6.0 一个; 我
B
= 1.2 一个 - 5.0 v
Csat
收集器 饱和度 电流 6.0 - 一个
t
f
坠落 时间
Csat
= 6.0 一个; 我
b(结束)
= 0.85 一个 0.2 0.35
µ
s
固定 - sot399 管脚 配置 符号
管脚 描述
1 底座
2 收集器
3 发射器
案例 隔离
限制 数值
限制 数值 入点 符合 与 这 绝对 最大值 评级 系统 (iec 134)
符号 参数 条件 最小值 最大值 单位
v
CESM
集电极-发射极 电压 峰值 值 v
= 0 v - 1500 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 (打开 底座) - 800 v
c
收集器 电流 (直流) - 10 一个
厘米
收集器 电流 峰值 值 - 25 一个
B
底座 电流 (直流) - 6 一个
BM
底座 电流 峰值 值 - 9 一个
-我
b(av)
反向 底座 电流 平均值 结束 任何 20 ms 期间 - 150 ma
-我
BM
反向 底座 电流 峰值 值
1
-6a
p
tot
合计 电源 耗散 t
hs
25 ˚c - 45 w
t
stg
存储 温度 -55 150 ˚C
t
j
接合点 温度 - 150 ˚C
热 电阻
符号 参数 条件 典型值 最大值 单位
th j-hs
接合点 至 散热器 无 散热器 化合物 - 3.7 k/w
th j-hs
接合点 至 散热器 与 散热器 化合物 - 2.8 k/w
th j-a
接合点 至 环境 入点 免费 空气 35 - k/w
案例
123
b
c
e?
1
关闭 电流.
九月 1997 1 rev 2.200
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