bzm55c...
vishay telefunken
rev. 3, 01-apr-99 1 (6)
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文件 号码 85598
硅 外延 平面 z–diodes
特点
d
正在保存 空间
d
密封 密封 零件
d
适合 上 sod 323 / sot 23 脚印
d
电气 数据 相同 与 这 设备
bzt55c... / tzmc...
d
很 锋利的 反向 特性
d
低 反向 电流 水平
d
很 高 稳定性
d
低 噪声
d
可用 与 更紧 公差
应用程序
电压 稳定
96 12315
绝对 最大值 额定值
t
j
= 25
_
c
参数 测试一下 条件 类型 符号 值 单位
电源 耗散
右
thja
x
300k/w
p
v
500 mW
Z–current 我
z
p
v
/v
z
ma
接合点 温度 t
j
175
°
c
存储 温度 范围 t
stg
–65...+175
°
c
最大值 热 电阻
t
j
= 25
_
c
参数 测试一下 条件 符号 值 单位
接合点 环境 已安装 开启 epoxy–glass 硬 tissue, 无花果. 1 右
thja
500 k/w
接合点 领带 点 35
m
m 铜 包层, 0.9 mm
2
铜 面积 按 电极 右
thJL
300 k/w
电气 特性
t
j
= 25
_
c
参数 测试一下 条件 类型 符号 最小 Typ 最大值 单位
前进 电压 我
f
=200mA v
f
1.5 v
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