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资料编号:2689
 
资料名称:EN29F002T-55J
 
文件大小: 267.13K
   
说明
 
介绍:
2 Megabit (256K x 8-bit) Flash Memory
 
 


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santa clara, ca 95054 传真: 408-235-8685
1
en29f002 / en29f002n
rev. c, 问题 日期: 2001/07/05
特点
5.0v ± 10% 用于 两者都有 阅读/写 操作
阅读 访问权限 时间
- 45ns, 55ns, 70ns, 和 90ns
快 阅读 访问权限 时间
- 70ns 与 c
荷载
= 100pf
- 45ns, 55ns 与 c
荷载
= 30pf
部门 体系结构:
一个 16k 字节 引导 部门, 两个 8k 字节
参数 扇区, 一个 32k 字节 和
三个 64k 字节 主 扇区
引导 块 顶部/底部 编程
体系结构
高 业绩 程序/擦除 速度
- 字节 程序 时间: 10µs 典型
- 部门 擦除 时间: 500ms 典型
- 芯片 擦除 时间: 3.5s 典型
低 备用 电流
- 1µa cmos 备用 电流-典型
- 1ma ttl 备用 电流
低 电源 活动 电流
- 30ma 活动 阅读 电流
- 30ma 程序 / 擦除 电流
电子元件工业联合会 标准 程序 和 擦除
命令
电子元件工业联合会 标准
数据
轮询 和 切换
比特 功能
硬件
重置
管脚
(n/一个 用于 en29f002n)
单独 部门 和 芯片 擦除
部门 保护 / 临时 部门
取消保护 (
重置
= v
id
)
部门 取消保护 模式
嵌入式 擦除 和 程序 算法
擦除 挂起 / 简历 模式:
阅读 和 程序 另一个 部门 期间
擦除 挂起 模式
0.4 µm 双金属 双聚
三重井 cmos 闪光灯 技术
低 vcc 写 抑制 &指示灯; 3.2v
100k 耐力 循环
包装 选项
- 32-管脚 pdip
- 32-管脚 plcc
- 32-管脚 tsop (类型 1)
商业 和 工业 温度
范围
概述 描述
这 en29f002 / en29f002n 是 一个 2-兆位, 电气 可擦除, 阅读/写 非挥发性 闪光灯 记忆.
顶部/底部 配置), 包括 一个 16k 字节 引导 部门, 两个 8k 字节 参数 扇区, 和 四 主
扇区 (一个 32k 字节 和 三个 64k 字节). 任何 字节 可以 是 编程 typicall
y 在 10µs. 这 en29f002 /
en29f002n 特点 5.0v 电压 阅读 和 写 操作. 这 访问权限 次 是 作为 快 作为 45ns 至 消除
这 需要 用于 等待 国家 入点 高性能 微处理器 系统.
这 en29f002 / en29f002n 有 分开 输出 启用 (
oe
), 芯片 启用 (
ce
), 和 w仪式
启用 (
我们
) 控件 哪个 消除 总线 争用 问题. 这个 设备 是 设计 至 允许
要么 单独 部门 或 已满 芯片 擦除 操作, 在哪里 每个 部门 可以 是 单独 保护
反对 程序/擦除 运营 或 暂时 未受保护 至 擦除 或 程序. 这 设备 可以
维持 一个 最小值 的 100k 程序/擦除 循环次数 开启 每个 部门.
en29f002 / en29f002n
2 兆位 (256k x 8-有点) 闪光灯 记忆
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